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新材料對(duì)測(cè)量技術(shù)的挑戰(zhàn)
在談及芯片技術(shù)進(jìn)步時(shí)，除了不斷縮小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談?wù)撦^多的是高k介質(zhì)、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進(jìn)入人們的視野。越是新興的物質(zhì)越難以捉摸和測(cè)量，這就要求測(cè)量技術(shù)能夠“與時(shí)俱進(jìn)”。本文對(duì)新材料...
2010-06-23
新材料 測(cè)量技術(shù) 3D集成 硅通孔技術(shù)
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RPO推出數(shù)字光波導(dǎo)觸控技術(shù) 明年一月全面商用發(fā)貨
RPO針對(duì)便攜式電子系統(tǒng)推出光波導(dǎo)觸控技術(shù)，明年一月全面商用發(fā)貨。
2010-06-23
RPO 數(shù)字光波導(dǎo) 觸控技術(shù)
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日置即將推出最新IM3570阻抗分析儀
即將發(fā)售的阻抗分析儀IM3570是測(cè)量頻率4Hz~5MHz，測(cè)試電平5mV~5V的LCR電橋與阻抗分析儀合二為一的儀器。因?yàn)閷?duì)應(yīng)不同測(cè)量條件都能高速連續(xù)測(cè)量，所以在需要使用眾多儀器檢查的生產(chǎn)線上，僅IM3570一臺(tái)便可實(shí)現(xiàn)。
2010-06-23
日置 IM3570 阻抗分析儀
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半導(dǎo)體制造晶圓檢測(cè)技術(shù)分析
半導(dǎo)體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動(dòng)檢測(cè)方法在制造過程中檢測(cè)缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏取１疚慕榻B晶圓檢測(cè)方法進(jìn)展，有效方式識(shí)別與良率相關(guān)的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測(cè) 缺陷檢測(cè) 在線晶圓檢測(cè)
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通孔刻蝕工藝的檢測(cè)技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進(jìn)到更加先進(jìn)的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計(jì)尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲(chǔ)量由4M發(fā)展到512M時(shí)，設(shè)計(jì)規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測(cè)技術(shù) 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機(jī)采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢(shì)是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)可以對(duì)各種不同技術(shù)的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術(shù)
ALD技術(shù)的獨(dú)特性決定了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的運(yùn)用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導(dǎo)致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學(xué)極限，同時(shí)高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢(shì)，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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