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降低開關(guān)電源電磁干擾水平的研究
本文以一個能產(chǎn)生混沌、超混沌、亞超混沌與超混沌信號的電路為信號源,以Boost型DC/DC變換器為對象,研究混沌的性質(zhì)對降低開關(guān)電源電磁干擾水平效果的影響。仿真結(jié)果表明:不同性質(zhì)的混沌序列,有不同的降低Boost型變換器的電磁干擾水平的效果。
2008-10-05
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AIS326DQ：ST針對汽車系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用MEMS加速度傳感器
意法半導(dǎo)體推出旗下首款的汽車質(zhì)量級三軸MEMS加速度傳感器。新產(chǎn)品AIS326DQ符合AEC-Q100汽車產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體充分發(fā)揮成功的MEMS八寸晶圓廠制造能力，以具有競爭力的價格為系統(tǒng)集成商提供MEMS前沿技術(shù)。
2008-10-01
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CCD數(shù)字相機(jī)的電源系統(tǒng)設(shè)計
為實現(xiàn)多路DC/DC轉(zhuǎn)換功能，提出一種開關(guān)型穩(wěn)壓電源與線性穩(wěn)壓電源相結(jié)合的系統(tǒng)設(shè)計方案。分析了具有BOOST/BUCK功能的開關(guān)電源和線性穩(wěn)壓電源的工作特性，并結(jié)合CCD相機(jī)的整體設(shè)計要求，實現(xiàn)了相機(jī)電源的功耗低、發(fā)熱量小、EMI干擾輕的設(shè)計目標(biāo)。
2008-09-29
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SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
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LY530AL：ST超小型GPS應(yīng)用MEMS陀螺儀
通過提供可選的模擬或數(shù)字角速率絕對值輸出，意法半導(dǎo)體推出LY530AL MEMS陀螺儀，提高設(shè)計靈活性，簡化集成難度，并節(jié)省外部元器件。全程量可測角速率高達(dá)每秒+/-300度，在直觀人機(jī)界面或增強(qiáng)型汽車導(dǎo)航GPS等應(yīng)用中，意法半導(dǎo)體的全新陀螺儀可測量快速角位移。
2008-09-12
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EG-2102CA/EG-2121CA HCSL：Epson Toyocom SAW振蕩器
Epson Toyocom公司開發(fā)研制出適用于PCI Express 、FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) 、HCSL（高速電流驅(qū)動邏輯、High-speed Current Steering Logic） 輸出的低抖動 、低相位噪音 的表面聲波（SAW）振蕩器：EG-2102CA HCSL與EG-2121CA HCSL。
2008-09-02
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ASMT-MY09：安華高照明應(yīng)用1W暖白光高功率LED產(chǎn)品
Avago 宣布推出一款新1W暖白光Moonstone高功率LED產(chǎn)品，適合各種建筑、商業(yè)、聚光燈、工作燈、背光以及裝飾照明等應(yīng)用。Avago的ASMT-MY09 LED采用薄型化設(shè)計，可以以350 mA的驅(qū)動電流提供高達(dá)95流明(lm)的高光度輸出。
2008-08-07
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EPCOS開發(fā)出插入損耗低及抗干擾能力強(qiáng)的LAN模塊
為實現(xiàn)電氣隔離以及抑制共模干擾和差模干擾，愛普科斯(EPCOS)開發(fā)出磁性模塊，專門用于LAN（局域網(wǎng)）。該模塊有單、雙和四端口的型號可供選擇，符合IPC/JEDEC、J-STD-020C 和 IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的要求，其電氣隔離功能可抵御1500 V AC的電壓而不被擊穿。
2008-08-01
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MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超聲應(yīng)用高速開關(guān)
Maxim推出通過高速、20MHz串行接口控制的8通道、高壓、低電荷注入SPST開關(guān)MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim專有的BCDMOS工藝，集高壓、雙向DMOS開關(guān)及低功耗CMOS邏輯特性于一體，從而實現(xiàn)通過低壓控制信號對高壓模擬信號的有效控制。
2008-07-30
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STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
2008-07-16
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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達(dá)2,000小時的±0.05%負(fù)載壽命穩(wěn)定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實現(xiàn)±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動快速，抗振動、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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