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采用適合工藝技術(shù)制造硅MEMS振蕩器
MEMS振蕩器商用化的一個(gè)最大障礙是開發(fā)一種經(jīng)濟(jì)并足夠純凈的密閉封裝系統(tǒng)。本文展示了一種適用于MEMS振蕩器的制造工藝，以及一組可與傳統(tǒng)的石英晶體技術(shù)相媲美的測(cè)量數(shù)據(jù)。這些測(cè)量數(shù)據(jù)是目前為止得到的最穩(wěn)定的MEMS振蕩器數(shù)據(jù)。
2008-10-09
純凈 振蕩 頻率 穩(wěn)定
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固態(tài)混合電勢(shì)氣體傳感器的原理和應(yīng)用
以混合電勢(shì)響應(yīng)為基礎(chǔ)的固態(tài)高溫氣體傳感器為各種還原性氣體提供了一種簡(jiǎn)單快速并且低成本的原位在線測(cè)量。這些傳感器響應(yīng)機(jī)理因電極材料、電極微觀形貌等不同而有所變化，主要分為混合電勢(shì)與被測(cè)氣體濃度呈對(duì)數(shù)關(guān)系或者線性關(guān)系兩種類型。其響應(yīng)行為取決于電極反應(yīng)的Butler-Volmer動(dòng)力學(xué)方程的具體...
2008-10-09
混合電勢(shì) 氧化 還原 傳感器
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MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。
2008-10-09
MOSFET DirectFET VRM 整流器
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法國(guó)Sofradir公司收購(gòu)美國(guó)紅外探測(cè)器公司Electrophysics
法國(guó)Sofradir公司宣布收購(gòu)美國(guó)Electrophysics公司。此項(xiàng)收購(gòu)有望加速Sofradir和它的子公司ULIS在北美市場(chǎng)的發(fā)展。Sofradir希望30天內(nèi)完成本次交易，交易價(jià)格尚未披露。
2008-10-08
收購(gòu) Sofradir Electrophysics 紅外
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MEMS固態(tài)風(fēng)速風(fēng)向傳感器的設(shè)計(jì)與制作
本文介紹了基于MEMS的固態(tài)風(fēng)速風(fēng)向傳感器的設(shè)計(jì)原理及軟件模擬結(jié)果，并依據(jù)理論與模擬結(jié)果設(shè)計(jì)了工藝流程，對(duì)設(shè)計(jì)的懸梁式測(cè)風(fēng)傳感器進(jìn)行了測(cè)量。
2008-10-08
MEMS固態(tài)風(fēng)速風(fēng)向傳感器 ANSYS CFD 工藝制作
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未來5年壓電器件市場(chǎng)平均年增7.5%
市場(chǎng)調(diào)研公司Innovative Research and Products(iRap)最近發(fā)表的研究報(bào)告預(yù)測(cè)，2012年全球壓電器件市場(chǎng)將從去年的48億美元上升到69.1億美元，平均每年增長(zhǎng)7.5%。
2008-10-07
壓電器件 石英器件 晶體單元 共振器 濾波器
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基于恒流驅(qū)動(dòng)模式的寬電壓輸入串聯(lián)型開關(guān)電源
提出了一種基于恒流驅(qū)動(dòng)模式的能在10V～100V寬電壓范圍內(nèi)工作的串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電源，這種開關(guān)電源采用MOSFET和特殊的恒流開關(guān)驅(qū)動(dòng)方式，使開關(guān)管在寬電壓范圍內(nèi)始終得到理想的驅(qū)動(dòng)電壓，因此效率高、工作穩(wěn)定、成本低。
2008-10-07
寬電壓 恒流驅(qū)動(dòng) 效率高 成本低
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電磁兼容技術(shù)綜述及開關(guān)電源中的EMC技術(shù)應(yīng)用
本文著重研究了電磁兼容技術(shù)，分析了電磁干擾的產(chǎn)生機(jī)理與傳輸，提出了電磁干擾的控制技術(shù)，并將這一技術(shù)應(yīng)用到開關(guān)電源上，實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源的電磁兼容設(shè)計(jì)。
2008-10-07
EMC 開關(guān)電源 EMI
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新型環(huán)保線繞電阻器的應(yīng)用特性及可靠性分析
本文主要概述了電阻器的發(fā)展，新型環(huán)保線繞電阻器的主要特性，最后重點(diǎn)分析了新型電阻的可靠性。
2008-10-07
電阻器 線繞 可靠性
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