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【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退
隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數的時間相關位移，例如閾值電壓 (VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移，可能會發(fā)生實...
2024-09-22
泰克科技 熱載流子 MOSFET 測試
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基于GD32F407VET6主控芯片的永磁同步電機控制器設計
作品以國產MCU為核心，配合成熟的硬件方案和完善的軟件算法，解決了永磁同步電機在單母線電流傳感器拓撲驅動下零低速和中高速范圍內無位置傳感器控制問題，實驗效果優(yōu)異，對于提高永磁同步電機在風機、水泵、電動工具等應用領域具有積極意在僅有單母線電流傳感器的情況下，實現永磁同步電機的零低速...
2024-09-20
GD32F407VET6 主控芯片 永磁同步電機控制器
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用于測試汽車逆變器的主動電機仿真
作為電池模擬器，可以使用標準電源。通過適當控制電機模擬器，相電流通過相線圈從 DUT 流向模擬器，并通過 DC-Link 流回 DUT，反之亦然。因此，DC-Link受到實際電流的壓力，但由于能量在兩個逆變器之間流動，因此電池模擬只需為整個系統的損耗提供能量。這是重要的好處之一：可以使用相對較小的電源...
2024-09-15
汽車逆變器 測試 電機仿真
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電氣負載模擬器
電氣負載仿真的概念涉及控制電力電子轉換器，使其行為類似于實際電氣負載。例如，電壓源逆變器 (VSI) 可以仿真感應電機。在不同情況下，負載仿真器的使用至關重要。它有助于分析在各種負載條件和環(huán)境下將多臺機器連接到電網的可行性。的部分是，這可以在沒有任何機電機械的情況下完成。負載仿真器可...
2024-09-15
電氣 負載模擬器
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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氮化鎵在高壓應用中提供強大的解決方案
在電子工程領域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢是由各種應用中對提高效率和功率密度的需求所推動的。氮化鎵（GaN）技術正作為一種強大的解決方案來滿足這些需求。
2024-09-11
氮化鎵 高壓應用
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無需磁性元件的光伏調節(jié)器
光伏系統通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變時為負載提供電力。然而，在可行的情況下，無儲能系統是一種更環(huán)保的替代方案，具有更高的 MTBF。
2024-09-10
磁性元件 光伏調節(jié)器
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在工業(yè)電機驅動器中采用碳化硅設計的實用工具
隨著能源需求的增長，越來越嚴格的效率標準或最低能效標準 (MEPS) 順勢而生，旨在減少工業(yè)電機驅動器對日益變暖的地球所造成的環(huán)境影響。迄今為止，全球范圍內已有 50 多個國家/地區(qū)（包括歐盟、中國和美國等重要經濟體）紛紛制定了有關工業(yè)低壓電機驅動器效率的規(guī)范。當今的工業(yè)電機設計主要遵循全...
2024-09-09
工業(yè)電機 驅動器 碳化硅
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數字電位器能否代替電路中的機械電位器？
當然，在Dpot的整個設置范圍內，Rw消除的完美程度并不比R5R6提供的2.5v DC偏置下Dpot的257個不同抽頭上的Rw匹配更好。給定電位器的電阻陣列內的典型匹配看起來不錯，但制造商并沒有承諾這些，制造商只承諾了+/-20%左右的系數。不過，將Rw降低到五分之一仍然有用。
2024-09-08
數字電位器 機械電位器
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