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四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用
隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動(dòng)這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及人工智能 (AI)，服務(wù)器的需求也在呈指數(shù)級增長。鑒于這些趨勢，設(shè)計(jì)人員面臨著一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)：如何在持續(xù)提升設(shè)計(jì)效率的同...
2024-03-21
氮化鎵 電子設(shè)計(jì) 中壓應(yīng)用
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華為、中芯國際亮相，大灣區(qū)迎來“新”風(fēng)潮！
如今，他們作為深圳市“20+8”產(chǎn)業(yè)相關(guān)展會(huì)，正致力于帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新要素集聚，助推深圳加快形成“新質(zhì)生產(chǎn)力”。2024年4月9日至11日，這個(gè)備受矚目的科技盛會(huì)再度拉開帷幕，屆時(shí)華為、TCL、中芯國際、聯(lián)發(fā)科、海信、潮州三環(huán)等知名企業(yè)都將集結(jié)亮相。
2024-03-21
華為 中芯國際
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電動(dòng)汽車無線電池管理革命已經(jīng)開始，投資回報(bào)潛力巨大
隨著電動(dòng)汽車電池組的壽命周期進(jìn)一步延長，在從制造到服務(wù)再到退役的過程中，每個(gè)wBMS模塊都要維持嚴(yán)格安全協(xié)議的必要性越來越大。OEM必須始終保持電池模塊的完整性，如果無法獨(dú)立驗(yàn)證其安全狀態(tài)，模塊二次使用的價(jià)值就有被否定的風(fēng)險(xiǎn)。
2024-03-19
電動(dòng)汽車 無線電池管理
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開始時(shí)捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
雙脈沖測試
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800V架構(gòu)下，給連接器帶來了哪些“改變”？
眾所周知，新能源汽車用連接器的作用主要是保證整車高壓互聯(lián)系統(tǒng)，即在內(nèi)部電路被阻斷或孤立不通處架起橋梁從而使電流流通，通過獨(dú)立或與線纜一起，為器件、組件、設(shè)備、子系統(tǒng)之間傳輸電流或光信號，并且保持各系統(tǒng)之間不發(fā)生信號失真和能量損失的變化，是構(gòu)成整個(gè)完整系統(tǒng)連接所必須的基礎(chǔ)元件。...
2024-03-13
架構(gòu) 連接器
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相...
2024-03-12
功率MOSFET UIS
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人工智能已悄然成為 RECOM工程師的最強(qiáng)大腦
乍一看，人工智能 (AI) 和電源設(shè)計(jì)似乎沒有太多共同之處。然而，RECOM 已經(jīng)在至少三個(gè)不同領(lǐng)域積極應(yīng)用人工智能技術(shù)，旨在提升我們的產(chǎn)品和服務(wù)質(zhì)量。請繼續(xù)閱讀，了解人工智能、電力和 RECOM 如何變得密不可分。
2024-03-06
人工智能 電源設(shè)計(jì)
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使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率
設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設(shè)計(jì)，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計(jì)規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設(shè)計(jì)符合制造要求，且不會(huì)導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、...
2024-03-05
半導(dǎo)體制造 芯片
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-03-04
功率MOSFET 雪崩效應(yīng)
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