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意法半導(dǎo)體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產(chǎn)品輕松擁有驚艷圖效
意法半導(dǎo)體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產(chǎn)品也能為用戶帶來更好的圖形體驗(yàn)。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動態(tài)存儲器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個(gè)幀緩存區(qū)，以節(jié)省外部存儲芯片。新產(chǎn)品還集成了意法半導(dǎo)體的NeoChromVG圖形處理...
2024-02-05
意法半導(dǎo)體 STM32 MCU 便攜產(chǎn)品
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續(xù)航焦慮怎么破？高效率直流快充方案給你新靈感
充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評估購買電動汽車 (EV)的一個(gè)主要考慮因素。為了縮短充電時(shí)間，業(yè)界正轉(zhuǎn)向采用直流充電樁 (DCFC)。DCFC繞過電動汽車的車載充電器，直接向電池提供更高的功率，從而大大縮短充電時(shí)間。
2024-02-05
續(xù)航焦慮 直流快充
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如何決定 PCB 中差分對的過孔阻抗？
高速 PCB 和信號標(biāo)準(zhǔn)對差分對的使用幾乎都有如下要求：精確的阻抗、長度匹配、信號偏移補(bǔ)償和損耗預(yù)算。為了達(dá)到此類重要的差分信號完整性目標(biāo)，設(shè)計(jì)人員需要借助工具，精確地計(jì)算阻抗，以及了解差分信號與互連器件上各個(gè)功能元件的交互方式，如連接器、電纜、元件和過孔。
2024-02-04
PCB 差分對 過孔阻抗
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如何用內(nèi)部邏輯分析儀調(diào)試FPGA？
進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)的功能調(diào)試時(shí)，F(xiàn)PGA的再編程能力是關(guān)鍵的優(yōu)點(diǎn)。CPLD和FPGA早期使用時(shí)，如果發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)不能正常工作，工程師就使用“調(diào)試鉤”的方法。先將要觀察的FPGA內(nèi)部信號引到引腳，然后用外部的邏輯分析儀捕獲數(shù)據(jù)。然而當(dāng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度增加時(shí)，這個(gè)方法就不再適合了，其中有幾個(gè)原因。第一是由于FPG...
2024-02-04
邏輯分析儀 FPGA
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深入了解FET輸入放大器中的電流噪聲
IC設(shè)計(jì)工程師和電路設(shè)計(jì)人員都深知電流噪聲會隨頻率增高而變大，但由于關(guān)于此領(lǐng)域的資料過少，或者制造商提供的信息不全，許多工程師很難了解其原因。
2024-02-02
FET輸入放大器 電流噪聲
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為什么叫源極跟隨器 源極跟隨器的作用和特點(diǎn)
源極跟隨器（Source Follower）是一種常見的放大電路，也被稱為電壓跟隨器或共射跟隨器。它的名稱源自其特性：輸出跟隨輸入電壓（也就是源極電壓）。
2024-02-02
源極跟隨器
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培育新質(zhì)生產(chǎn)力，CITE 2024專精特新系列活動全面升級
中央經(jīng)濟(jì)工作會議提出，要以科技創(chuàng)新推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，特別是以顛覆性技術(shù)和前沿技術(shù)催生新產(chǎn)業(yè)、新模式、新動能，發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。會議還強(qiáng)調(diào)，要深化重點(diǎn)領(lǐng)域改革，促進(jìn)中小企業(yè)專精特新發(fā)展。
2024-02-02
CITE 2024 人工智能 芯片半導(dǎo)體 移動通訊 數(shù)字娛樂 機(jī)器人 無人機(jī) 物聯(lián)網(wǎng)
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意法半導(dǎo)體：SiC新工廠今年投產(chǎn)，豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場需求
意法半導(dǎo)體對汽車應(yīng)用有全面深入的了解，如今，已有650多萬輛純電動汽車搭載了意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET，包括電驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)、直流/直流變換器（DC-DC）。我們從2017年開始交付SiC產(chǎn)品，與全球超過75家整車制造商和一級配套廠商建立了業(yè)務(wù)關(guān)系。
2024-02-02
意法半導(dǎo)體 SiC
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動，有時(shí)會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC M...
2024-02-01
SiC MOSFET 短路
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