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CMOS有源晶振電壓特性與精準(zhǔn)測(cè)量指南
CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設(shè)計(jì)確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標(biāo)準(zhǔn)要求Voh≥3.2V（3.3V供電時(shí)），以滿足下游芯片的高電平識(shí)別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設(shè)備...
2025-05-29
CMOS有源晶振 電壓特性 精準(zhǔn)測(cè)量
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IO-Link技術(shù)賦能智能工廠傳感器跨協(xié)議通信實(shí)戰(zhàn)指南
在工業(yè)4.0浪潮席卷全球制造業(yè)的今天，智能工廠建設(shè)正面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。當(dāng)生產(chǎn)線需要同時(shí)兼容Profinet、EtherCAT、Modbus等多種工業(yè)協(xié)議時(shí)，傳統(tǒng)專用型傳感器已難以滿足柔性制造需求。本文將深度解析如何打造具備"網(wǎng)絡(luò)無(wú)關(guān)性"的智能傳感器，通過(guò)模塊化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)溫度、壓力等物理量的精準(zhǔn)采集與...
2025-05-29
現(xiàn)場(chǎng)總線 智能工廠傳感器 IO-Link技術(shù)
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Arm 生態(tài)系統(tǒng)：從云端到邊緣全面驅(qū)動(dòng) AI
人工智能 (AI) 正以前所未有的速度重塑科技，成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。Arm 計(jì)算平臺(tái)正處于這場(chǎng)變革的核心?；?Arm 架構(gòu)的芯片出貨量迄今已累計(jì)超過(guò)
2025-05-28
Arm 生態(tài)
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電容選型避坑手冊(cè)：參數(shù)、成本與場(chǎng)景化適配邏輯
電容器是一種通過(guò)電場(chǎng)儲(chǔ)存電荷的無(wú)源元件，其基本結(jié)構(gòu)由兩個(gè)導(dǎo)體極板和中間的絕緣介質(zhì)（電介質(zhì)）組成。當(dāng)兩極板施加電壓時(shí)，正負(fù)電荷在極板上積累，形成電場(chǎng)儲(chǔ)能。電容值（C）由極板面積（A）、極板間距（d）和電介質(zhì)介電常數(shù)（ε）決定。
2025-05-27
電容
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小體積大能量：陶瓷電容技術(shù)全解析：定義、原理與市場(chǎng)格局
陶瓷電容是以陶瓷介質(zhì)為核心，通過(guò)金屬電極層疊或涂覆形成的無(wú)源電子元件。其核心原理基于陶瓷介質(zhì)的極化效應(yīng)：當(dāng)施加電壓時(shí)，陶瓷介質(zhì)內(nèi)部的正負(fù)電荷發(fā)生位移，形成電場(chǎng)儲(chǔ)存電能；斷開(kāi)電源后，電荷釋放供給電路。
2025-05-27
陶瓷電容
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線繞電阻與可調(diào)電阻技術(shù)對(duì)比及選型指南
線繞電阻與可調(diào)電阻雖同屬電阻范疇，但設(shè)計(jì)目標(biāo)、結(jié)構(gòu)特性及適用場(chǎng)景存在顯著差異。
2025-05-27
線繞電阻 可調(diào)電阻
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全球熱管理巨頭煥新啟航：萊爾德熱系統(tǒng)正式更名Tark Thermal Solutions
全球熱管理行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者萊爾德熱系統(tǒng)（Laird Thermal Systems）宣布正式更名為 塔克熱系統(tǒng)（Tark Thermal Solutions） 。此次更名源于原有名稱許可協(xié)議到期，旨在通過(guò)全新品牌形象強(qiáng)化企業(yè)市場(chǎng)定位，更好地彰顯公司在主動(dòng)式熱管理領(lǐng)域60余年的技術(shù)積淀與解決方案領(lǐng)導(dǎo)力。新名稱與品牌視覺(jué)體系的啟用，...
2025-05-27
熱管理 萊爾德熱系統(tǒng) 塔克熱系統(tǒng) Tark Thermal Solutions
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