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技術(shù)文章

屏蔽效能分析

屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至萬(wàn)分之一, 因此通常用分貝(dB)來(lái)表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。

2019-08-06

屏蔽效能分析

耦合與退耦，上拉與下拉！

耦合指信號(hào)由第一級(jí)向第二級(jí)傳遞的過(guò)程，一般不加注明時(shí)往往是指交流耦合。退耦是指對(duì)電源采取進(jìn)一步的濾波措施，去除兩級(jí)間信號(hào)通過(guò)電源互相干擾的影響。耦合常數(shù)是指耦合電容值與第二級(jí)輸入阻抗值乘積對(duì)應(yīng)的時(shí)間常數(shù)。

2019-08-06

耦合退耦上拉下拉

常見(jiàn)電路保護(hù)元器件介紹與比較

電路保護(hù)是電路設(shè)計(jì)的基本功，其中涉及的元器件有很多種，熟悉并掌握每種不同電路保護(hù)元器件的特性十分重要。本文將對(duì)幾種常見(jiàn)的電路保護(hù)元器件進(jìn)行介紹和比較。

2019-08-06

電路保護(hù) 元器件

元器件篩選原則是什么？常見(jiàn)的篩選項(xiàng)目有哪些？

電子元器件的固有可靠性取決于產(chǎn)品的可靠性設(shè)計(jì)，因此，應(yīng)該在電子元器件裝上整機(jī)或設(shè)備之前，就要設(shè)法盡可能排除掉存在問(wèn)題的元器件，為此就要對(duì)元器件進(jìn)行篩選。那么，元器件篩選都有哪些方案？原則是什么？常見(jiàn)的篩選項(xiàng)目有哪些？

2019-08-06

元器件篩選

CMOS電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步...

2019-08-05

CMOS電路 ESD保護(hù)

電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。

2019-08-05

電源系統(tǒng) 開(kāi)關(guān)控制器 MOSFET

MOS管簡(jiǎn)介以及判定電極、放大能力的方法

MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。

2019-08-05

MOS管判定電極放大能力

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耦合與退耦，上拉與下拉！

常見(jiàn)電路保護(hù)元器件介紹與比較

元器件篩選原則是什么？常見(jiàn)的篩選項(xiàng)目有哪些？

CMOS電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇

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元器件篩選原則是什么？常見(jiàn)的篩選項(xiàng)目有哪些？