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基于 SiC 的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證套件
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器涵蓋廣泛的應(yīng)用，從低壓工業(yè)驅(qū)動(dòng)器（例如風(fēng)扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào)）以及伺服驅(qū)動(dòng)器。據(jù)估計(jì)，這些通常由交流電源驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)占工業(yè)用電量的 70-80%。因此，人們有強(qiáng)烈的動(dòng)機(jī)來(lái)提高這些驅(qū)動(dòng)器的效率。即使該參數(shù)的微小改進(jìn)也能在節(jié)省能源和成本方面產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。國(guó)際電化學(xué)委...
2025-01-21
SiC 三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)
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自主移動(dòng)機(jī)器人設(shè)計(jì)指南，看完秒懂
自主移動(dòng)機(jī)器人（AMR）是一種復(fù)雜的系統(tǒng)，與自動(dòng)駕駛汽車(chē)有許多共同之處--它們需要感知、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、照明和電池管理。也許最大的挑戰(zhàn)是將這些子系統(tǒng)整合到一個(gè)最終產(chǎn)品中--由于需要集成來(lái)自不同供應(yīng)商的不同子系統(tǒng)，這一挑戰(zhàn)變得更加困難。
2025-01-20
自主移動(dòng)機(jī)器人
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賀利氏燒結(jié)銀在功率模塊中的應(yīng)用
功率模塊是現(xiàn)代工業(yè)和技術(shù)領(lǐng)域不可或缺的組件，它們負(fù)責(zé)高效、可靠地進(jìn)行電能的轉(zhuǎn)換和控制。這些模塊直接影響到一個(gè)系統(tǒng)的性能、效率和耐用性，是各類(lèi)電子設(shè)備和系統(tǒng)中關(guān)鍵的技術(shù)基礎(chǔ)。
2025-01-20
賀利氏 燒結(jié)銀 功率模塊
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大電流、高性能降壓-升壓穩(wěn)壓器
許多應(yīng)用都需要寬輸入和/或輸出電壓范圍，例如電池供電系統(tǒng)。在輸入電壓可能低于或高于輸出電壓的情況下，電源需要調(diào)節(jié)其輸出電壓。只要不需要接地隔離，四開(kāi)關(guān)降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)就能為此類(lèi)應(yīng)用提供超高的效率和功率密度。此外，降壓-升壓穩(wěn)壓器非常靈活，可用作單純的降壓電源或升壓（帶短路保護(hù)）...
2025-01-20
電流 降壓-升壓穩(wěn)壓器
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NFC防偽技術(shù)：削弱假貨對(duì)奢侈品行業(yè)的影響
對(duì)于奢侈品牌，假冒偽劣產(chǎn)品和惡意灰色市場(chǎng)交易是一個(gè)長(zhǎng)期存在的挑戰(zhàn)。事實(shí)上，如今假冒市場(chǎng)被視為全球最大的非法貿(mào)易領(lǐng)域。經(jīng)合組織（OECD）估計(jì)，2019 年其規(guī)模約為 4640 億美元，占世界貿(mào)易總額的 2.5%，顯然，對(duì)于犯罪分子這是一個(gè)追逐暴利的行業(yè)，同時(shí)對(duì)任何奢侈品牌的聲譽(yù)及其盈利都具有巨大...
2025-01-20
NFC 防偽技術(shù) 假貨 奢侈品
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AI 驅(qū)動(dòng)，Arm 加速實(shí)現(xiàn)軟件定義汽車(chē)的未來(lái)
我們正在迎來(lái)一個(gè)全新的汽車(chē)時(shí)代，即軟件定義汽車(chē) (SDV) 的時(shí)代。根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 的預(yù)測(cè)，到 2026 年底，中國(guó)的道路上預(yù)計(jì)將有超過(guò) 100 萬(wàn)輛搭載 L3 級(jí)別 ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）的汽車(chē)。可以預(yù)見(jiàn)，隨著對(duì)高性能計(jì)算和更多軟件需求的增長(zhǎng)，汽車(chē)中所需的算力也在迅速增加。鑒...
2025-01-17
AI 驅(qū)動(dòng) Arm 汽車(chē)
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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計(jì)電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴(yán)苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。
2025-01-17
監(jiān)控電路 工業(yè)
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