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意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提升新一代微控制器的成本競(jìng)爭(zhēng)力
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項(xiàng)基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級(jí)進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開(kāi)發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實(shí)現(xiàn)巨大飛躍，同時(shí)可以集成容量更大的存儲(chǔ)器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)?；谛录夹g(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開(kāi)始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。
2024-03-26
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主流供應(yīng)商專(zhuān)家共話智能手機(jī)差異化創(chuàng)新設(shè)計(jì)
2013年將進(jìn)入LTE智能手機(jī)開(kāi)發(fā)高峰期，預(yù)計(jì)英特爾、高通、英飛凌和ST- Ericsson將成為主要的LTE平臺(tái)解決方案供應(yīng)商，相變存儲(chǔ)器和SSD將成為L(zhǎng)TE智能手機(jī)的主流存儲(chǔ)解決方案。該如何選擇和利用這些平臺(tái)開(kāi)發(fā)出有獨(dú)特賣(mài)點(diǎn)的差異化產(chǎn)品？ ST-Ericsson和Micron等主流供應(yīng)商專(zhuān)家，將于12月15日下午在第四屆智能手機(jī)設(shè)計(jì)工作坊上，從平臺(tái)、芯片組、存儲(chǔ)器、電源管理和測(cè)試方面深度分析移動(dòng)互聯(lián)下智能手機(jī)創(chuàng)新的差異化解決方案。
2012-12-04
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相變存儲(chǔ)器及其工作原理
相變存儲(chǔ)器及其工作原理
2012-11-01
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