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華強(qiáng)電子網(wǎng)參展2011多人行電子展
華強(qiáng)電子網(wǎng)參展2011多人行電子展
2011-06-22
電子展
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2011年P(guān)CIM亞洲電力電子展上萊姆電子亮相
2011年P(guān)CIM亞洲電力電子展上萊姆電子亮相
2011-06-22
電子展
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2012長(zhǎng)春國(guó)際LED、發(fā)光體及城市節(jié)能照明技術(shù)設(shè)備展覽會(huì)
2012長(zhǎng)春國(guó)際LED、發(fā)光體及城市節(jié)能照明技術(shù)設(shè)備展覽會(huì)
2011-06-22
長(zhǎng)春 LED 節(jié)能
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京都大學(xué)試制成功增幅率超過(guò)200的SiC晶體管
日本京都大學(xué)的研發(fā)小組試制出室溫時(shí)電流增幅率為257和335的SiC BJT（bipolar junctiON transistor）。這是目前業(yè)內(nèi)最高水平，大大超過(guò)本田技術(shù)研究所等的電流增幅率為130的BJT。
2011-06-22
京都大學(xué) 增幅率 SiC 晶體管
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TE推出MAG-MATE插入式連接器
近日消息，TE CONnectivity (簡(jiǎn)稱TE，原泰科電子)為滿足電動(dòng)工具制造商在生產(chǎn)過(guò)程中加快電磁線端接速度的需求而推出MAG-MATE插入式連接器。
2011-06-22
TE 連接器 MAG-MATE
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ST發(fā)布采用第六代STripFET技術(shù)的功率MOSFET用于服務(wù)器電源
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的功率芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）擴(kuò)大采用第六代STripFET技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列，為設(shè)計(jì)人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來(lái)更多選擇。
2011-06-22
ST STripFET 功率 MOSFET 服務(wù)器電源
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EMC/EMI綜合解決方案與設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)分享
隨著電氣電子技術(shù)的發(fā)展，家用電器產(chǎn)品日益普及和電子化，廣播電視、郵電通訊和計(jì)算機(jī)及其網(wǎng)絡(luò)的日益發(fā)達(dá)，電磁環(huán)境日益復(fù)雜和惡化，使我們逐漸關(guān)注設(shè)備的工作環(huán)境，日益關(guān)注電磁環(huán)境對(duì)電子設(shè)備的影響，電氣電子產(chǎn)品的電磁干擾(EMI)和電磁兼容性(EMC)的問(wèn)題越來(lái)越受到工程師和生產(chǎn)企業(yè)的重視。電子...
2011-06-22
EMC EMI 電磁兼容研討會(huì)
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EMC/EMI綜合解決方案與設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)分享
隨著電氣電子技術(shù)的發(fā)展，家用電器產(chǎn)品日益普及和電子化，廣播電視、郵電通訊和計(jì)算機(jī)及其網(wǎng)絡(luò)的日益發(fā)達(dá)，電磁環(huán)境日益復(fù)雜和惡化，使我們逐漸關(guān)注設(shè)備的工作環(huán)境，日益關(guān)注電磁環(huán)境對(duì)電子設(shè)備的影響，電氣電子產(chǎn)品的電磁干擾(EMI)和電磁兼容性(EMC)的問(wèn)題越來(lái)越受到工程師和生產(chǎn)企業(yè)的重視。電子...
2011-06-22
EMC EMI 電磁兼容研討會(huì)
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開(kāi)關(guān)電源中電流檢測(cè)電路的實(shí)現(xiàn)
本文介紹了電流檢測(cè)電路的實(shí)現(xiàn)方法，并探討在電流檢測(cè)中常遇見(jiàn)的電流互感器飽和、副邊電流下垂的問(wèn)題，最后用實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析了升壓電路中電流檢測(cè)方法。
2011-06-22
開(kāi)關(guān)電源 電流檢測(cè)電路 電流檢測(cè)
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