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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究
米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？
2022-07-06
CoolSiC MOSFET 寄生導(dǎo)通
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從負(fù)供電軌生成正電壓，這種簡單高效且組件少的電路你要知道
有時(shí)候您需要正電源，但大部分可用的供電軌（或僅有的可用供電軌）提供的都是負(fù)電源。事實(shí)上，負(fù)到正電壓轉(zhuǎn)換已用于汽車電子，以及各種音頻放大器、工業(yè)和測試設(shè)備的偏置電路中。雖然在許多系統(tǒng)中是電源通過相對于地的負(fù)供電軌分配，但這些系統(tǒng)中的邏輯板、ADC、DAC、傳感器和類似器件仍然需要一個(gè)...
2022-07-05
負(fù)供電軌 正電壓 ADI
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用于汽車負(fù)載應(yīng)用的上橋SmartFET驅(qū)動器
上橋SmartFET因其易于使用和高水平的保護(hù)而越來越受歡迎。與標(biāo)準(zhǔn)MOSFET一樣，SmartFET非常適合各種汽車應(yīng)用。它們的區(qū)別在于內(nèi)置在上橋SmartFET器件中的控制電路。控制電路持續(xù)監(jiān)控輸出電流和器件溫度，同時(shí)針對電壓瞬變和其他意外應(yīng)用條件提供被動保護(hù)。這種主動和被動保護(hù)功能的結(jié)合確保了穩(wěn)定可...
2022-07-04
汽車負(fù)載 SmartFET 驅(qū)動器
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IQE宣布與Lumentum達(dá)成長期戰(zhàn)略供應(yīng)協(xié)議
IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團(tuán)”），全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材料解決方案供應(yīng)商，近日宣布與 Lumentum 簽署一項(xiàng)長期協(xié)議，為其提供支持 3D 傳感、汽車激光雷達(dá) (LiDAR) 和光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的外延片。
2022-07-01
IQE Lumentum 晶圓
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車載以太網(wǎng)100Base-T1ESD器件保護(hù)方案
隨著汽車的數(shù)字電子化、自動駕駛系統(tǒng)的需求，傳統(tǒng)的CAN、LIN汽車通訊協(xié)議已經(jīng)不能滿足汽車的信號傳輸數(shù)據(jù)需求，以太網(wǎng)正是其中一個(gè)比較理想的改進(jìn)方案;它能同時(shí)適用于域控制(Domain Control)和區(qū)塊控制(Zonal Control)。
2022-07-01
車載以太網(wǎng) ESD器件 方案
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為ADAS設(shè)計(jì)更好的高電流開關(guān)電源！
在如今的車輛之中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)的重要性與日俱增。它們可以幫助盡可能減少人為操作錯(cuò)誤，提升駕駛員和道路安全。早期的ADAS只包含單個(gè)自動駕駛員輔助功能，例如使用一個(gè)雷達(dá)傳感器的自適應(yīng)巡航控制功能?，F(xiàn)在，越來越多的ADAS功能被應(yīng)用到汽車上，例如自動緊急停車、盲點(diǎn)監(jiān)測、車輛/行...
2022-07-01
ADAS設(shè)計(jì) 開關(guān)電源
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SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程
使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-07-01
SiC FET 起源 UnitedSiC
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動芯片的三個(gè)優(yōu)勢
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。
2022-06-28
英飛凌 SOI 驅(qū)動芯片
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驅(qū)動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較
在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認(rèn)驅(qū)動器源極引腳的效果。
2022-06-24
驅(qū)動器 源極引腳 雙脈沖測試
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