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分立器件低端市場(chǎng)中國(guó)企業(yè)已無差距

近年來，半導(dǎo)體基礎(chǔ)器件的二、三極管，其銷售額在世界半導(dǎo)體總銷售額中所占比重逐年下降，但是分立器件每年的銷售額仍以個(gè)位數(shù)平穩(wěn)增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展稍好，且以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)，高于世界的增長(zhǎng)水平。由此可見，半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間

2010-04-20

分立器件低端市場(chǎng) 無差距銷售額下降

泰科電子推出符合ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的IDC SSL連接器

日前，泰科電子宣布推出全新IDC SSL連接器，用于實(shí)現(xiàn)LED印刷電路板(PCB)上散線的快速、免工具刺破式連接。該產(chǎn)品適用于18-24 AWG的單芯及多股線，通過絕緣刺破技術(shù)消除剝線與焊接過程中繁重的人工工作

2010-04-20

泰科 ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) IDC SSL連接器

恩梯恩開發(fā)出與軸承一體化的高精度電磁式角度傳感器

恩梯恩（NTN）開發(fā)出了可檢測(cè)軸的旋轉(zhuǎn)位置（旋轉(zhuǎn)角度）的磁式角度傳感器。與軸承設(shè)計(jì)為一體，可沿軸向設(shè)置在8mm以下的狹小空間內(nèi)，具有±0.4度以下的高精度，因此可用于電動(dòng)汽車（EV）的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)等部件。

2010-04-20

恩梯恩傳感器電動(dòng)汽車 SNR

歐姆龍G6K-Y表面安裝繼電器在中國(guó)量產(chǎn)

歐姆龍電子部品中國(guó)統(tǒng)轄集團(tuán)近日正式宣傳，世界最小級(jí)別封裝面積和高度的表面安裝繼電器從四月起在中國(guó)量產(chǎn)，產(chǎn)品高5.2mm×寬6.5mm×長(zhǎng)10mm的超小型，適用于高密度封裝，與業(yè)界相當(dāng)品實(shí)現(xiàn)最低功耗100mW。

2010-04-19

歐姆龍繼電器表面安裝

應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

2010-04-19

應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

2011年車燈市場(chǎng)LED尾燈成長(zhǎng)最強(qiáng)勁

由于車燈市場(chǎng)發(fā)展也進(jìn)入成熟期，先進(jìn)光源系統(tǒng)已成為車燈發(fā)展關(guān)鍵。2007年全球車燈市場(chǎng)規(guī)模132億美元，到2011年可望成長(zhǎng)到150億美元規(guī)模。其中，LED車燈市場(chǎng)規(guī)模約6.9億美元，但StrategiesUmlimited預(yù)計(jì)，到2011年全球LED車燈市場(chǎng)規(guī)模將可成長(zhǎng)到12億美元，LED車燈市場(chǎng)滲透率上看8%，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)13%。

2010-04-19

車燈市場(chǎng) LED尾燈強(qiáng)勁滲透率

安華高科技推出適合固態(tài)照明應(yīng)用的超小型封裝3W高功率LED

ASMT-Jx32提供有140o的寬廣視角，可以滿足需要良好色彩一致性的設(shè)計(jì)需求，Avago的3W產(chǎn)品是一款可以處理高溫和承受高驅(qū)動(dòng)電流的高性能LED，ASMT-Jx32擁有135oC的最高結(jié)溫，為照明設(shè)計(jì)工程師帶來更高的設(shè)計(jì)靈活度。

2010-04-19

固態(tài)照明超小型高功率LED 安華高

東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器

東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。

2010-04-19

東京大學(xué) 單層碳納米管鈦酸鋰鋰離子電容器

IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET

據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購(gòu)買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。

2010-04-19

IR 導(dǎo)通電阻耐壓功率MOSFET

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