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開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述
在本系列文章的第一部分中，[1]我們介紹了電動車快速充電器的主要系統(tǒng)要求，概述了這種充電器開發(fā)過程的關(guān)鍵級，并了解到安森美(onsemi)的應(yīng)用工程師團(tuán)隊正在開發(fā)所述的充電器?，F(xiàn)在，在第二部分中，我們將更深入研究設(shè)計的要點(diǎn)，并介紹更多細(xì)節(jié)。特別是，我們將回顧可能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，探討其優(yōu)點(diǎn)和權(quán)...
2022-01-28
碳化硅 直流充電樁 方案
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在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量
在經(jīng)過多年研究和設(shè)計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負(fù)偏置電壓時會關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴(yán)格的柵極驅(qū)動設(shè)計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點(diǎn)，...
2022-01-27
高壓半導(dǎo)體器件 擊穿電壓 漏流測量
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擔(dān)心柵極驅(qū)動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導(dǎo)體正走向最理想的狀態(tài)，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現(xiàn)代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態(tài)電壓耦合到柵極驅(qū)動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅(qū)動器的信號和電源隔離還會受到應(yīng)力影響。本文將探討...
2022-01-27
柵極驅(qū)動器 絕緣能力 BIER測試
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談一談電源系統(tǒng)噪聲來源
今天在和朋友交流電力電子的問題時談到了電源系統(tǒng)的噪聲的問題。這里面牽扯到了如何更好的設(shè)計電源系統(tǒng)和如何更好的設(shè)計電子產(chǎn)品系統(tǒng)。電源系統(tǒng)涉及能源的轉(zhuǎn)換、電源的轉(zhuǎn)換、電源的傳遞等等。對于電子產(chǎn)品而言，電源主要是交流（AC）通過電源模塊轉(zhuǎn)化為直流（DC）、DC轉(zhuǎn)遞給用電端（負(fù)載芯片）使用...
2022-01-27
電源系統(tǒng) 噪聲 來源
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貿(mào)澤電子授權(quán)分銷超49000種Amphenol產(chǎn)品
2022年1月26日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 分銷全球知名互聯(lián)系統(tǒng)供應(yīng)商Amphenol Corporation的新款產(chǎn)品和解決方案。貿(mào)澤備貨Amphenol及其41個部門的全系列產(chǎn)品，總數(shù)超過49600種。
2022-01-26
貿(mào)澤電子 授權(quán)分銷 Amphenol
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PMDE封裝的實機(jī)評估
本文將使用車載LED驅(qū)動器BD81A44EFV-M及其評估板，對PMDU和PMDE的發(fā)熱和效率進(jìn)行比較評估，并以車載LED驅(qū)動器BD81A44EFV-M及其評估板確認(rèn)其結(jié)果。
2022-01-26
PMDE封裝 實機(jī)評估
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJ...
2022-01-26
IGBT MOSFET
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如何構(gòu)建功能安全的小型48V、30kW MHEV電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)
減少溫室氣體(GHG)排放的全球性舉措推動了汽車的發(fā)展，要求汽車制造商提高新車動力總成的電氣化水平。輕混合動力電動汽車(MHEV)采用48V電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)來幫助減少內(nèi)燃機(jī)(ICE) 的GHG排放，已成為實現(xiàn)合規(guī)性的極具吸引力的選擇，因為這種汽車的實現(xiàn)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于全混合動力電動汽車。本白皮書介紹如何使用...
2022-01-25
電機(jī)驅(qū)動 系統(tǒng) MHEV
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么？
我們常常被告誡：實際應(yīng)用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學(xué)并不死心：如果我只超了一點(diǎn)點(diǎn)呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
IGBT 集電極電壓 額定電壓
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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