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淺析ESD防護(hù)與ESD防護(hù)器件
ESD會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品帶來(lái)致命損害，本文介紹了防止ESD產(chǎn)生和保護(hù)電子設(shè)備不受ESD損害的方法。并專(zhuān)門(mén)介紹了瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)在ESD保護(hù)方面的卓越性能。
2009-01-23
MLV TVS ESD 靜電 電路保護(hù) 安森美
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市場(chǎng)低迷下元器件分銷(xiāo)攻略:得渠道者得未來(lái)(二）
2008年市場(chǎng)需求的下滑使電子元器件廠家的銷(xiāo)售壓力增大，很多企業(yè)都沒(méi)有完成預(yù)期的指標(biāo)。而2009年的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)現(xiàn)在并不明朗，有專(zhuān)家認(rèn)為上半年有可能會(huì)繼續(xù)下滑，這無(wú)疑給元器件廠家的分銷(xiāo)工作提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。本期分銷(xiāo)策略專(zhuān)題特別邀請(qǐng)了業(yè)內(nèi)部分知名企業(yè)針對(duì)分銷(xiāo)熱點(diǎn)問(wèn)題發(fā)表精彩觀點(diǎn)
2009-01-23
電子元器件 分銷(xiāo) 市場(chǎng) 模擬器件 demandcreation designin
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1200V IGBT4：具備優(yōu)化特性的英飛凌新一代功率半導(dǎo)體
對(duì)于采用先進(jìn)、高效的變頻器的工業(yè)節(jié)能應(yīng)用市場(chǎng)而言，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的各種功率半導(dǎo)體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足現(xiàn)代化變頻器的要求。
2009-01-22
IGBT4-T4 IGBT4-E4 IGBT4-P4 IGBT 功率模塊
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電子電路產(chǎn)業(yè)穩(wěn)中有升、面臨轉(zhuǎn)型
中國(guó)電子電路產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入重新調(diào)整布局的新時(shí)代，產(chǎn)品技術(shù)含量越來(lái)越高，企業(yè)具有更多的自主研發(fā)、自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的項(xiàng)目，管理水平全面提升，企業(yè)效益不斷增長(zhǎng)，三廢治理逐步達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。中國(guó)將迎來(lái)PCB業(yè)強(qiáng)盛的新時(shí)代。 中國(guó)電子電路行業(yè)盡管這五六年有些起伏，但是近30年來(lái)總體上保持持續(xù)高...
2009-01-19
PCB 覆銅箔板 RoHS UL HDI 印制電路板 CCL 深南電路
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多晶硅量子效應(yīng)及其對(duì)MOSFET閾值電壓的影響
根據(jù)載流子分布曲線近似，通過(guò)求解泊松方程，得到了多晶硅中電場(chǎng)及其電勢(shì)的分布，計(jì)算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進(jìn)行了比較，表明其具有較好的準(zhǔn)確性
2009-01-17
多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓
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FCI收購(gòu)IMPLO Technologies公司
法國(guó)FCI日前收購(gòu)了面向電力市場(chǎng)的內(nèi)爆(implosive)連接器產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商——IMPLO Technologies公司，這項(xiàng)收購(gòu)將使FCI能夠把IMPLO開(kāi)發(fā)的技術(shù)用于其為電力傳輸連接應(yīng)用提供的產(chǎn)品。
2009-01-16
FCI內(nèi)爆技術(shù) 電力應(yīng)用
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太陽(yáng)能發(fā)電成本下降，2010年將達(dá)到每千瓦時(shí)0.13美元
太陽(yáng)能發(fā)電的成本不斷下降，但仍高于傳統(tǒng)的發(fā)電技術(shù)。
2009-01-15
太陽(yáng)能發(fā)電 薄膜太陽(yáng)能光電模組 硅晶太陽(yáng)能光電模組
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WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測(cè)電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內(nèi)工作的2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
WSLT2010…18 電阻 Power Metal Strip 電流感測(cè)電阻 EMF TCR
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08年國(guó)內(nèi)高純多晶硅產(chǎn)量同比爆增263.7%
國(guó)內(nèi)20多個(gè)省市把光伏產(chǎn)業(yè)作重點(diǎn)，規(guī)劃或計(jì)劃建設(shè)多晶硅項(xiàng)目，國(guó)內(nèi)對(duì)千噸級(jí)多晶硅的規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)尚未完全掌握，但光伏太陽(yáng)能下游產(chǎn)能增長(zhǎng)快，為國(guó)內(nèi)多晶硅企業(yè)提升工藝技術(shù)留下緩沖時(shí)間。
2009-01-14
洛陽(yáng)中硅 新光硅業(yè) 江蘇中能 東汽峨嵋 多晶硅 光伏產(chǎn)業(yè) 太陽(yáng)能
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