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村田制作所：在陶瓷領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新
秉承“Innovator in Electronics”的企業(yè)口號(hào)，村田公司從未停止過(guò)創(chuàng)新。公司成立近六十年來(lái)，村田一直緊緊跟隨市場(chǎng)的變化，用創(chuàng)新的產(chǎn)品積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)熱點(diǎn)和新的應(yīng)用，不斷取得市場(chǎng)成功。
2009-10-16
村田制作所 陶瓷領(lǐng)域 LTCC
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威世科技：通過(guò)收購(gòu)策略打造無(wú)源和半導(dǎo)體領(lǐng)域的全能廠商
威世公司通過(guò)自主研發(fā)制造和收購(gòu)其他公司等途徑打造了完整的無(wú)源元件和分立半導(dǎo)體產(chǎn)品線，目前是世界上分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電子產(chǎn)品及某些精選 IC）和無(wú)源電子元件（電阻、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一。
2009-10-16
Vishay 威世科技 無(wú)源器件 分立半導(dǎo)體
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HIH-5030/5031系列：霍尼韋爾推出更低供電電壓的濕度傳感器
霍尼韋爾推出在更低供電電壓工作的表面安裝的濕度傳感器，高性能的傳感器設(shè)計(jì)，旨在幫助降低加工成本以及提高應(yīng)用的靈活性,滿足系統(tǒng)整體性能的要求，在整個(gè)0 ? 100 ％相對(duì)濕度范圍內(nèi)提供更可靠的穩(wěn)定性、精度和響應(yīng)時(shí)間。
2009-10-16
霍尼韋爾 更低供電電壓 濕度傳感器 完善HIH-4030/4031
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硅薄膜太陽(yáng)能技術(shù)具先天優(yōu)勢(shì) 準(zhǔn)確定位是關(guān)鍵
在薄膜太陽(yáng)能技術(shù)中，硅薄膜太陽(yáng)能是業(yè)界投入最普遍的技術(shù)；市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch指出，由于全球?qū)璞∧げ牧涎芯肯鄬?duì)成熟，且無(wú)缺料問(wèn)題，再加上面板產(chǎn)業(yè)可借重在硅薄膜領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)，國(guó)際大廠如夏普(Sharp)、三星電子(SamsungElectronics)與樂(lè)金電子(LGElectronics)等均投入硅薄膜太陽(yáng)能量...
2009-10-15
硅薄膜 太陽(yáng)能 先天優(yōu)勢(shì) 定位
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霍尼韋爾推出高穩(wěn)定性的硅壓力傳感器
霍尼韋爾國(guó)際新推出的TruStability ?傳感器，HSC和SSC系列，其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化性能，并提供應(yīng)用的靈活性。
2009-10-15
霍尼韋爾 TruStability 硅壓力傳感器 流體測(cè)量 高穩(wěn)定性
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圖文詳解電子元件焊接技術(shù)
在電子制作中，元器件的連接處需要焊接。焊接的質(zhì)量對(duì)制作的質(zhì)量影響極大。所以，學(xué)習(xí)電于制作技術(shù)，必須掌握焊接技術(shù)，練好焊接基本功。本文將圖文并茂的詳細(xì)講解電子制作中使用電烙鐵的焊接技術(shù)。
2009-10-14
圖 電子元件 焊接技術(shù) 測(cè)試工作坊 元器件 電烙鐵
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太陽(yáng)誘電推出0201封裝1μF積層陶瓷電容器
太陽(yáng)誘電推出了靜電容量為1μF的小型0201尺寸（0.6×0.3×0.3mm）尺寸積層陶瓷電容器“AMK063BJ105MP”。與該公司的原產(chǎn)品相比，體積縮小了約78％，高度降低了40％。在該尺寸產(chǎn)品中，靜電容量達(dá)到了業(yè)界最高水平。
2009-10-14
電容 太陽(yáng)誘電 0201
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諾貝爾獎(jiǎng)當(dāng)之無(wú)愧，CCD傳感器已無(wú)處不在
“影像傳感器技術(shù)對(duì)世界和整個(gè)社會(huì)帶來(lái)了巨大且深遠(yuǎn)的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說(shuō)。“影像傳感器的應(yīng)用范圍甚廣，如數(shù)字相機(jī)、手機(jī)，已經(jīng)成為現(xiàn)代文化密不可分的一部份，也影響了社交媒體和視訊共享革命的發(fā)展?！?/p>
2009-10-14
傳感器 CCD 諾貝爾獎(jiǎng)
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即將普及的碳化硅器件
隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
2009-10-14
豐田 SiC 碳化硅 MOSFET
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