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MEMS開始新的兩位數(shù)增長階段
微機電系統(tǒng)(MEMS)市場2010年強勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢將持續(xù)到 2014年。
2011-01-25
MEMS MEMS市場 微機電系統(tǒng)
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SiA427DJ：Vishay 推出P溝道器件最低導(dǎo)通電阻TrenchFET?功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET? 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-25
SiA427DJ Vishay TrenchFET?功率MOSFET
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阻抗變換器在有源濾波器中的應(yīng)用
在音頻系統(tǒng)中，為了避免因采用半導(dǎo)體或其它有源器件帶來的非線性和頻率特性畸變，保證實現(xiàn)平坦而寬闊的高頻響應(yīng)，通常選用分立元件構(gòu)成的濾波器來滿足DSD對頻率帶寬的苛刻要求。本文講述阻抗變換器在有源濾波器中的應(yīng)用……
2011-01-25
阻抗變換器 GIC 濾波器
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小電流可控硅固體開關(guān)的研制
本文通過脈沖變壓器隔離控制28個串聯(lián)可控硅（TYNl225），得到了20kV小電流開關(guān)，對固體開關(guān)的串聯(lián)技術(shù)進(jìn)行了試驗研究，并討論了串聯(lián)電路所涉及到的觸發(fā)信號的高壓隔離技術(shù)、驅(qū)動信號同步技術(shù)以及功率器件的動態(tài)靜態(tài)均壓技術(shù)。
2011-01-25
可控硅固體開關(guān) 固體繼電器 SSR
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臺廠高管稱太陽能電池價格低谷已過
潘文輝表示，由于歐洲寒冬、圣誕長假、FIT補助政策出臺未期以及市場供過于求等四大因素，致使去年12月太陽能電池跌價。但從目前的情況來看，F(xiàn)IT政策出臺差不多定調(diào)，1月面臨的環(huán)境已沒有去年12月份的困擾因素，因此，太陽能電池價格的低谷已過去。
2011-01-25
太陽能 電池 價格低谷
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器
在這篇文章里，我介紹了一種能達(dá)到AB類特性軌到軌CMOS模擬緩沖器的電路技巧，產(chǎn)生了具有低功耗和高的驅(qū)動能力的方法。
2011-01-24
CMOS 模擬緩沖器 PMOS NMOS
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IGBT驅(qū)動與保護(hù)電路
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。本文基于EXB841設(shè)計IGBT的驅(qū)動電路如圖2所示，包...
2011-01-24
IGBT 保護(hù)電路 EXB841
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