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解析新型三柵極金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管原理
目前瑞士和中國(guó)的研究人員共同制造出具有五個(gè)III族氮化物半導(dǎo)體溝道能級(jí)的三柵極金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管，從而提高了靜電控制和驅(qū)動(dòng)電流。
2019-02-14
三柵極 金屬氧化物 半導(dǎo)體高電子 晶體管
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簡(jiǎn)析功率MOSFET的熱阻特性
功率MOSFET的結(jié)溫影響器件許多工作參數(shù)及使用壽命，數(shù)據(jù)表中提供了一些基本的數(shù)據(jù)來(lái)評(píng)估電路中功率MOSFET的結(jié)溫。本文主要來(lái)說(shuō)明MOSFET的穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)熱阻的測(cè)量方法，以及它們的限制條件。
2019-02-14
功率MOSFET 熱阻特性
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高分辨率LCD及相機(jī)面臨的電磁干擾敏感性及解決方法
下一代手機(jī)仍舊受緊湊設(shè)計(jì)趨勢(shì)的推動(dòng)，實(shí)現(xiàn)高分辨率LCD及相機(jī)將使設(shè)計(jì)者面臨多種挑戰(zhàn)，其中一個(gè)主要設(shè)計(jì)考慮便是這些新模塊對(duì)電磁干擾(EMI)的敏感性。
2019-02-14
電磁干擾 LCD 相機(jī)
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如何有效防護(hù)靜電放電？
在尺寸不斷縮小的微電子時(shí)代，如果靜電放電(ESD)瞬變未加抑制地在PCB走線上出現(xiàn)之前你不去主動(dòng)地阻止它們，那么ESD事件很可能毀了你的產(chǎn)品。
2019-02-14
靜電放電 ESD保護(hù)
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基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)：電感磁飽和介紹
磁飽和是磁性材料的一種物理特性，指的是導(dǎo)磁材料由于物理結(jié)構(gòu)的限制，所通過(guò)的磁通量無(wú)法無(wú)限增大，從而保持在一定數(shù)量的狀態(tài)。一般的電感都有一條磁化曲線(B-H Curve), 這是一條反應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度H和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的一條對(duì)應(yīng)曲線。
2019-02-14
電感 磁飽和
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變壓器骨架短路故障應(yīng)如何處置？
高頻變壓器骨架的應(yīng)用很廣泛，那么變壓器骨架短路事端要怎么來(lái)處置呢？遇到問(wèn)題最先考慮的應(yīng)該又是哪些呢？
2019-02-14
變壓器
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面對(duì)反向電流問(wèn)題，你該怎么辦？
設(shè)計(jì)電路時(shí)，有時(shí)候會(huì)發(fā)現(xiàn)電路板上的芯片突然有微微燒焦的氣味，這可能是反向電流的問(wèn)題。特別是設(shè)計(jì)便攜式的電子產(chǎn)品，如果電池的反向連接對(duì)便攜式產(chǎn)品可以是致命的，會(huì)有損壞電路或電池本身的危險(xiǎn)。我們可利用以下3種常見(jiàn)的方法來(lái)可以防止反向電流。
2019-02-14
反向電流 二極管
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