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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計。
2024-10-08
高壓柵極驅(qū)動器 功率耗散 散熱
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“源”察秋毫，基于納米發(fā)電機的高熵能源微弱信號測試
基于納米發(fā)電機的高熵能源可以很好實現(xiàn)能源的供給。未來，在能源互聯(lián)網(wǎng)、智能電網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、互聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)學(xué)、無線通信和無線傳感等領(lǐng)域，納米發(fā)電機都將有更廣泛應(yīng)用。
2024-10-08
納米發(fā)電機 智能電網(wǎng) 信號測試 納米發(fā)電機
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相約第104屆中國電子展，觀眾預(yù)登記通道正式啟動！
第104屆中國電子展 上海觀眾預(yù)登記現(xiàn)已全面開啟！
2024-10-08
第104屆中國電子展 預(yù)登記
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超低功耗與高精度兼?zhèn)?，助力物?lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備的性能提升
低功耗在現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計中越來越受到重視，尤其是在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和可穿戴設(shè)備中。電池壽命的延長和設(shè)備能效的提升成為了關(guān)鍵。以瑞士微晶Micro Crystal的RV-3028-C7實時鐘模塊為例，它在時間保持模式下的超低功耗表現(xiàn)堪稱行業(yè)翹楚。
2024-09-30
物聯(lián)網(wǎng)
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從智能手機到助聽器：MEMS音頻技術(shù)開啟無限可能
近年來，微機電系統(tǒng) (MEMS) 技術(shù)給音頻行業(yè)帶來了翻天覆地的變化。MEMS技術(shù)在音頻應(yīng)用中使用微小的機械部件將電信號轉(zhuǎn)換成聲波，實現(xiàn)了更小巧、更高效的音頻設(shè)備。
2024-09-30
智能手機 助聽器 MEMS 音頻技術(shù)
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器...
2024-09-30
意法半導(dǎo)體 碳化硅功率技術(shù) 電動汽車 電驅(qū)逆變器
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預(yù)補償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲
如今，Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。然而，在放大器啟動或關(guān)閉時，以及在靜音/取消靜音切換期間，揚聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點擊聲。這些噪音可能會被聽到，并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中靜音功率放大器是避免在啟動或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時播放音樂，...
2024-09-29
Class D功率放大器 爆裂噪聲
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