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貿(mào)澤電子發(fā)布工業(yè)4.0線上資源預測性維護解決方案
全球業(yè)界知名電子元器件代理商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)今日正式推出全新工業(yè)4.0線上資源預測性維護解決方案,標志著工業(yè)設備運維正式邁入AI驅動時代。該平臺深度融合邊緣計算與機器學習技術,為制造業(yè)數(shù)字化轉型提供端到端技術賦能方案。新網(wǎng)站探討了預測性維護蘊藏的機遇和優(yōu)勢,為讀者的設...
2025-04-11
貿(mào)澤電子 工業(yè)4.0 線上資源
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晶閘管選型與應用實戰(zhàn)指南:多維參數(shù)平衡與場景化設計深度解析
在電力電子領域,晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙,憑借其獨特的單向導通特性和強大的功率處理能力,在工業(yè)控制、能源轉換等領域持續(xù)發(fā)揮著重要作用。隨著電力系統(tǒng)復雜度的提升,如何科學選型并充分發(fā)揮其性能,已成為工程師必須掌握的核心技能。
2025-04-08
晶閘管 電力電子
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二次整流電路設計難點解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉換器(ACFC)突破50%占空比限制之際,一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線。實測數(shù)據(jù)顯示,當Dmin低于15%時,ACFC的開關損耗會陡增300%,電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。
2025-04-08
二次整流電路
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碳化硅能效革命核心突破點:共源共柵(cascode)結構詳解
安森美(onsemi)推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管(SiC JFET cascode)在硬開關與軟開關應用場景中展現(xiàn)出顯著技術優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔,通過三篇技術解析深入剖析器件特性,本文作為開篇之作,將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器...
2025-04-08
碳化硅 共源共柵 安森美
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賦能AI與能源及數(shù)字化轉型,TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
TDK株式會社4月7日宣布,將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展(展位號N1.210),圍繞「為可持續(xù)的未來加速轉型」的核心理念,集中展示人工智能技術應用、綠色能源與數(shù)字化轉型的前沿創(chuàng)新成果,覆蓋電子應用全領域的創(chuàng)新技術和產(chǎn)品解決方案,推動各行業(yè)向更智能、更高效、更低碳的未來加速轉型。
2025-04-08
AI 能源 數(shù)字化轉型 TDK
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光與波的博弈:紅外vs雷達人體感應器技術原理與場景適配方案全解析
人體感應雷達模組的工作原理是基于多普勒效應和目標反射原理,通過發(fā)射毫米波信號并接收反射信號來檢測人體的存在、運動狀態(tài)和位置信息。這些信息可以被用于觸發(fā)智能設備的啟動與停止,實現(xiàn)智能化的生活場景,常應用于人體存在感知、智能家居、智能家電、智慧酒店、智能辦公、節(jié)能、節(jié)電控制器等領域。
2025-04-07
紅外人體感應器 雷達人體感應器
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第18講:SiC MOSFET的動態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓(VGS(th))通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓,并仔細設計控制電路布線,這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外,閾值電壓隨著溫度升高而降低(圖1),因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
SiC MOSFET 閾值電壓
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相位魔法解碼:真時延技術如何實現(xiàn)毫米級指向精度
相控陣天線通過移相器、真時延或二者的組合,使合成波束更精確地指向陣列轉向角度內(nèi)的所需方向。本文將介紹這兩種方法,以及更寬帶寬的天線陣列是如何推動真時延在其系統(tǒng)設計中的應用。
2025-04-07
相控陣天線 真時延技術
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1600W雙路交錯新紀元:無橋圖騰柱TCM_PFC數(shù)字電源方案解析
數(shù)字電源是現(xiàn)代電子系統(tǒng)中降低功耗和管理日益增長的電源復雜性的重要技術之一。從智能手持設備到數(shù)據(jù)服務器和無線基站,數(shù)字電源的管理和控制提供了實時智能,使開發(fā)人員能夠構建自動適應環(huán)境并優(yōu)化效率的電力系統(tǒng)。
2025-04-07
無橋圖騰柱 TCM_PFC 數(shù)字電源
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