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【技術(shù)大咖測試筆記系列】之八：低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。
2021-10-20
低功率 MOSFET 泰克科技
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一款基于ARM控制的逆變器電源電路設(shè)計方案
本設(shè)計以 ARM 作為控制核心，結(jié)合推挽升壓電路和 SPWM 逆變電路，實(shí)現(xiàn)了將12VDC 輸入電壓轉(zhuǎn)換為110VAC 交流正弦電壓輸出。實(shí)驗(yàn)表明，該逆變器具有電壓紋波小、動態(tài)響應(yīng)高和全數(shù)字等特點(diǎn)，能夠滿足實(shí)際需要。
2021-10-20
ARM控制 逆變器電源 電路設(shè)計
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如何通過任意長度的銅線控制遠(yuǎn)端負(fù)載的電壓~
在功率分配系統(tǒng)中，由于穩(wěn)壓器和負(fù)載之間的電纜 / 導(dǎo)線壓降而產(chǎn)生穩(wěn)壓問題是很常見。導(dǎo)線電阻、電纜長度或負(fù)載電流的任何增加都會使配電線上的壓降增大，從而擴(kuò)大負(fù)載上的實(shí)際電壓與穩(wěn)壓器所獲電壓之間的差異。
2021-10-19
銅線 遠(yuǎn)端負(fù)載
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以太網(wǎng)供電(PoE)和智能樓宇：第二部分
根據(jù)美國國家防火協(xié)會（NFPA）的數(shù)據(jù)，電氣和照明設(shè)備是引起美國商業(yè)火災(zāi)的第三大源頭。典型的根源是老舊或有缺陷的電線，過載的電路，松動的連接，故障保險絲，不平衡的電力負(fù)荷，以及許多其他電氣或雷擊問題。這些都會導(dǎo)致過熱，產(chǎn)生火花，最終點(diǎn)燃火災(zāi)。
2021-10-18
以太網(wǎng) PoE 智能樓宇
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以太網(wǎng)供電(PoE)和智能樓宇：第一部分
以太網(wǎng)供電（PoE）正如其名所示：它通過用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐浑娎|供電--足以滿足小型設(shè)備的需求。該技術(shù)被廣泛用于智能樓宇中，由于涉及的電壓較低，普通的電源安全規(guī)則并不適用。這突出了PoE具有吸引力的原因之一；它可以大大降低與安裝和合規(guī)性有關(guān)的成本。
2021-10-18
以太網(wǎng) PoE 智能樓宇
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如何能夠提高SR控制器的效率？
基于寬帶隙半導(dǎo)體的電源因其較小的尺寸和良好的開關(guān)性能而在各種充電解決方案中變得越來越受歡迎。但是，制造商還需要提高電源轉(zhuǎn)換效率。SR控制器是提高電源效率的一種潛在解決方案。它們具有許多優(yōu)點(diǎn)，能夠使實(shí)驗(yàn)室的電源設(shè)計人員的工作變得更輕松。
2021-10-15
SR控制器
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高頻DC－DC轉(zhuǎn)換器中的電感器性能
隨著開關(guān)頻率增加到1 MHz以上，經(jīng)常會出現(xiàn)電感器性能的問題。雖然可以根據(jù)參數(shù)數(shù)據(jù)比較特定電感器的相對優(yōu)點(diǎn)，但考慮電路應(yīng)用最為重要。
2021-10-15
DC－DC轉(zhuǎn)換器 開關(guān)頻率
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半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)
世界上最早的全電子化存儲器是1947年在曼徹斯特大學(xué)誕生的威廉姆斯-基爾伯恩管 (Williams-Kilburn tube)，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點(diǎn)”。從那時起，計算機(jī)內(nèi)存開始使用磁存儲技術(shù)并經(jīng)歷了數(shù)代演變，相關(guān)系統(tǒng)包括磁鼓存儲器、磁芯存儲器、磁帶驅(qū)動器和磁泡存儲器。
2021-10-14
半導(dǎo)體存儲器
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晶體管篇：關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時的浪涌電流
負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時，向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大充電電流。
2021-10-14
晶體管 負(fù)載開關(guān) 浪涌電流
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