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Betterfuse新款511系列快速小型熔斷器具超低分?jǐn)嗄芰?/span>
貝特電子科技有限公司， 電路保護元件的制造商， 發(fā)布了新款511系列快速小型熔斷器， 額定電流范圍為500 mA到15A。這標(biāo)志著貝特電子的過流保護產(chǎn)品家族又增添了一個新成員。
2012-05-31
Betterfuse 511系列 熔斷器
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PPTC可降低維修成本 富致科技Lo Rho產(chǎn)品具有更低內(nèi)阻
過流電子保護組件的種類相當(dāng)繁多，使用美國專利高新材料PPTC (Polymeric Positive Temperature Coefficient, 正溫度系數(shù)高分子聚合物)制造的自復(fù)式保險絲為其中一種。此種自復(fù)式保險絲系采用高分子有機聚合物，在高壓、高溫的條件下，攙加導(dǎo)電粒子材料后，經(jīng)過特殊的工藝加工而成。
2012-05-31
PPTC 富致科技 Lo Rho產(chǎn)品
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TE標(biāo)準(zhǔn)0201和0402封裝的ChipSESD保護器件有助于消除裝配和制造挑戰(zhàn)
泰科電子(TE)日前宣布推出比傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝更易安裝和返修的0201和0402尺寸的靜電放電(ESD)器件，以擴展其硅ESD保護產(chǎn)品系列。該ChipSESD封裝將一個硅器件和一個傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)(SMT)被動封裝配置的各種優(yōu)勢結(jié)合在一起。
2012-05-31
TE ChipSESD 保護器件
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詳解貝特電子溫度保險絲的工作原理
當(dāng)溫度保險絲周圍溫度上升到它的動作溫度時，其易熔合金熔化并在表面張力作用下及特殊樹脂幫助作用下，收縮成球狀附兩引腳未端或保險絲內(nèi)彈簧的彈力推走電極作用，這樣電路被切斷
2012-05-31
溫度保險絲 工作原理
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I/O接口高性能ESD和雷擊浪涌保護指南：TVS二極管陣列
雷擊或ESD會對電子線路造成嚴(yán)重威脅，而LittelfuseTVS 二極管陣列能保護電子產(chǎn)品免受這些極快且具破壞性電壓瞬變的傷害，它們能為電腦和便攜式消費電子產(chǎn)品中的 I/O 接口和數(shù)碼及模擬信號線（如 USB 和 HDMI）提供理想的保護解決方案。本文講述瞬變電壓、TVS 二極管陣列的工作原理、Littelfuse TVS ...
2012-05-30
Littelfuse TVS二極管陣列 Littelfuse TVS 二極管陣列
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延長LED壽命的高可靠性LED保護器：Littelfuse PLED
單個 LED 出現(xiàn)故障往往會使整個燈串無法正常工作，導(dǎo)致高昂的維護成本。PLED的出現(xiàn)正是為解決這一問題： PLED 新型LED保護器在單個 LED 發(fā)生開路故障時，確保燈串中的其他 LED 繼續(xù)正常工作，且保護由 ESD及雷電沖擊帶來的影響，使得 LED 照明產(chǎn)品具備高可靠性、低維護性并延長其使用壽命。
2012-05-30
Littelfuse LED保護器 PLED
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使用廣泛的Littelfuse瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)
我們在保護傳輸線、數(shù)據(jù)線或因雷擊、感應(yīng)式負(fù)載開關(guān)及ESD引起的線路過壓保護中經(jīng)常用到TVS 二極管。你真的了解TVS二極管嗎，還是對它一知半解？TVS和硅保護陣列、二極管陣列等其他二極管技術(shù)有哪些區(qū)別？如果你曾關(guān)注TVS的選型指南，那你不妨看看Littelfuse的這篇文章。
2012-05-30
Littelfuse TVS 瞬態(tài)電壓抑制器
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MAXIM專家解讀ESD保護電路的設(shè)計
ESD 靜電放電給你的電子產(chǎn)品帶來致命的危害不僅降低了產(chǎn)品的可靠性增加了維修成本而且不符合歐洲共同體規(guī)定的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EN61000-4-2 就會影響產(chǎn)品在歐洲的銷售所以電子設(shè)備制造商通常會在電路設(shè)計的初期就考慮ESD 保護電路本文將討論ESD保護電路的幾種方法。
2012-05-30
MAXIM ESD 保護電路
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車用MOSFET如何尋求性能與保護的最佳組合
工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在極端環(huán)境下(如引擎蓋下面的汽車電子應(yīng)用)，溫度的迅速上升會使MOSFET意外導(dǎo)通，致...
2012-05-29
MOSFET DC-DC EPAS
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