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半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)需建立完整產(chǎn)業(yè)鏈
北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心主任吳玲近日表示，半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模在過(guò)去的五年保持了30%至40%的年增長(zhǎng)率，2010年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到1200億元，保守估計(jì)未來(lái)五年產(chǎn)業(yè)的年增長(zhǎng)率為38%，到2015年產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到6000億元。
2011-01-25
半導(dǎo)體 照明 產(chǎn)業(yè)完善
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飛兆半導(dǎo)體任命Dan Kinzer為首席技術(shù)官
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布任命Dan Kinzer擔(dān)任首席技術(shù)官兼高級(jí)副總裁 (技術(shù))。在其領(lǐng)導(dǎo)下，飛兆半導(dǎo)體將鞏固公司對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的專注，進(jìn)一步提升其針對(duì)功率電子和便攜應(yīng)用的先進(jìn)產(chǎn)品系列。
2011-01-25
飛兆半導(dǎo)體 飛兆半導(dǎo)體首席技術(shù)官任命 飛兆半導(dǎo)體新聞
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臺(tái)廠高管稱太陽(yáng)能電池價(jià)格低谷已過(guò)
潘文輝表示，由于歐洲寒冬、圣誕長(zhǎng)假、FIT補(bǔ)助政策出臺(tái)未期以及市場(chǎng)供過(guò)于求等四大因素，致使去年12月太陽(yáng)能電池跌價(jià)。但從目前的情況來(lái)看，F(xiàn)IT政策出臺(tái)差不多定調(diào)，1月面臨的環(huán)境已沒(méi)有去年12月份的困擾因素，因此，太陽(yáng)能電池價(jià)格的低谷已過(guò)去。
2011-01-25
太陽(yáng)能 電池 價(jià)格低谷
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全球最薄內(nèi)藏IC芯片及被動(dòng)組件的PCB產(chǎn)品出爐
彩色濾光片暨光罩巨擘大日本印刷(DNP)19日發(fā)布新聞稿宣布，為了因應(yīng)行動(dòng)產(chǎn)品的小型化和高機(jī)能化，該公司已研發(fā)出一款可內(nèi)藏IC芯片以及電容、電阻等被動(dòng)組件的全球最薄印刷電路板(PCB)產(chǎn)品；該款組件內(nèi)藏式PCB產(chǎn)品將開(kāi)始提供送樣，并預(yù)計(jì)于今(2011)年秋天進(jìn)行量產(chǎn)。
2011-01-24
DNP IC芯片 被動(dòng)組件 PCB 0.28mm
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日系鋁電解電容器喊漲
平板計(jì)算機(jī)、AIO以及PC換機(jī)潮搶料，整體高檔鋁電解電容器供貨狀況仍呈現(xiàn)吃緊，日系供貨商為反應(yīng)日元升值，元月起決定全面調(diào)漲約8%-10%，同時(shí)因部分日系鋁電容廠也在大陸生產(chǎn)，產(chǎn)能恐將受到大陸缺工潮波及，供需缺口恐將擴(kuò)大。預(yù)計(jì)日系鋁電容今年價(jià)格還將續(xù)漲，第二波漲勢(shì)可能會(huì)在5、6月間。
2011-01-24
鋁電解電容器 供貨吃緊 缺工
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日系鋁電解電容器喊漲
平板計(jì)算機(jī)、AIO以及PC換機(jī)潮搶料，整體高檔鋁電解電容器供貨狀況仍呈現(xiàn)吃緊，日系供貨商為反應(yīng)日元升值，元月起決定全面調(diào)漲約8%-10%，同時(shí)因部分日系鋁電容廠也在大陸生產(chǎn)，產(chǎn)能恐將受到大陸缺工潮波及，供需缺口恐將擴(kuò)大。預(yù)計(jì)日系鋁電容今年價(jià)格還將續(xù)漲，第二波漲勢(shì)可能會(huì)在5、6月間。
2011-01-24
鋁電解電容器 供貨吃緊 缺工
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英飛凌中國(guó)全新子公司開(kāi)業(yè)
英飛凌科技股份有限公司近日宣布其位于中國(guó)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)的全新子公司——英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開(kāi)業(yè)。新公司注冊(cè)資本1,500萬(wàn)美元，將進(jìn)一步加強(qiáng)公司對(duì)高能效、移動(dòng)性和安全性的關(guān)注，體現(xiàn)了英飛凌對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的長(zhǎng)期承諾。
2011-01-24
英飛凌 集成電路 北京 開(kāi)業(yè)
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CMF20120D：美國(guó)科銳投產(chǎn)采用SiC的+1200V耐壓功率MOSFET
美國(guó)科銳（Cree）宣布，已經(jīng)投產(chǎn)了采用SiC（碳化硅）材料的+1200V耐壓功率MOSFET“CMF20120D”（英文發(fā)布資料）?？其J是繼2010年12月的羅姆之后第二家宣布投產(chǎn)SiC功率MOSFET的企業(yè)。不過(guò)，科銳在發(fā)布資料中稱自己“是業(yè)界第一個(gè)投產(chǎn)的”。目標(biāo)用途包括，太陽(yáng)能發(fā)電用逆變器裝置、高電壓輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器...
2011-01-24
科銳 SiC MOSFET CMF20120D
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FOD8012：飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界首款雙向邏輯門光耦合器
FOD8012支持系統(tǒng)之間的數(shù)字信號(hào)隔離通信，而且不會(huì)與接地環(huán)路或危險(xiǎn)電壓導(dǎo)電。不同于提供低于0.1mm光隔離間隙的同類器件，F(xiàn)OD8012具有0.4mm (最低)的光隔離間隙，能夠?qū)崿F(xiàn)經(jīng)驗(yàn)證的可靠光隔離。該器件還具有高達(dá)15兆位/秒的轉(zhuǎn)換速度，并且使用了飛兆半導(dǎo)體專有的Optoplanar 封裝技術(shù)和優(yōu)化的集成電路...
2011-01-24
飛兆 半導(dǎo)體 耦合器
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