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Arm SystemReady創(chuàng)下新里程 為數(shù)據(jù)中心夯實(shí)創(chuàng)新根基
Arm? 近日發(fā)布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 個月以來，獲得產(chǎn)業(yè)廣泛合作伙伴的支持，并已頒布超過 50 張認(rèn)證，其中Microsoft? Azure? 基于Arm架構(gòu)的 Ampere? Altra? 處理器的服務(wù)器獲得 SystemReady SR 認(rèn)證，成為首個獲得認(rèn)證的云服務(wù)提供商服務(wù)器，其搭載Arm架構(gòu)的Ampere Altra 處理器的Azure虛...
2022-06-21
Arm SystemReady 數(shù)據(jù)中心
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MEMS壓力傳感器解決人機(jī)界面新痛點(diǎn)
2021 年 5 月，Qorvo 宣布了收購 NextInput 公司，作為其傳感器融合產(chǎn)品線的首次收購，Qorvo 對于 NextInput 在改善人機(jī)交互（HMI）市場的創(chuàng)新給予了厚望。同時，也意味著 Qorvo 除了在 RF MEMS 之外，也擁有了 MEMS 壓力傳感器的技術(shù)積累。
2022-06-21
MEMS 壓力傳感器 人機(jī)界面
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。
2022-06-21
穩(wěn)定性 CoolSiC MOSFET
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安森美向前推進(jìn)可持續(xù)發(fā)展
2022年6月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，發(fā)布其年度可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，前稱企業(yè)社會責(zé)任（CSR）報(bào)告。為了持續(xù)努力保持我們對投資者、客戶、利益相關(guān)者和員工的透明度，該報(bào)告根據(jù)全球報(bào)告倡議組織（GRI）、氣候相關(guān)的財(cái)務(wù)披露工作組（TCFD）和可持...
2022-06-20
安森美 可持續(xù)發(fā)展
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Digi-Key在2022年EDS領(lǐng)導(dǎo)力峰會上被供應(yīng)商授予了25項(xiàng)大獎
全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯維加斯舉行的 2022 EDS 領(lǐng)導(dǎo)力峰會上獲得了供應(yīng)商授予的 25 項(xiàng)大獎。這是對 Digi-Key 在過去一年中的銷售業(yè)績、客戶服務(wù)、產(chǎn)品廣度、數(shù)字存在等方面成績的認(rèn)可。
2022-06-20
Digi-Key EDS領(lǐng)導(dǎo)力峰會
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面對電磁輻射干擾，如何輕松進(jìn)行電子線路設(shè)計(jì)布局？
電磁環(huán)境包含輻射和傳導(dǎo)能量。EMC也包含輻射和敏感度兩方面。輻射是指產(chǎn)品不必要地產(chǎn)生電磁能量。為了打造一種具備電磁兼容性的環(huán)境，通常需要控制輻射。敏感度是一種用于衡量電子產(chǎn)品容忍其他電磁產(chǎn)品的輻射，或傳導(dǎo)電磁能量影響或其他電磁影響的能力指標(biāo)?？箶_度與敏感度相反。敏感度高的設(shè)備抗擾...
2022-06-20
電磁干擾 電子線路 設(shè)計(jì)布局
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貿(mào)澤推出2022 Empowering Innovation Together系列第三期探索打造安全設(shè)計(jì)的重要性
2022年6月17日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其備受好評的Empowering Innovation Together?計(jì)劃的新一期內(nèi)容。在“實(shí)現(xiàn)更高安全性的設(shè)計(jì)”這一期，貿(mào)澤探討了在設(shè)計(jì)過程中的每個階段融入安全性的重要性，從架構(gòu)選擇和組件挑...
2022-06-17
貿(mào)澤電子 安全設(shè)計(jì)
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凌華科技發(fā)布AES-100 邊緣智能服務(wù)器
中國上海 – 2022年6月16日，全球領(lǐng)先的邊緣計(jì)算解決方案提供商—凌華科技推出基于華為Ascend Atlas200的全新邊緣智能服務(wù)器AES-100，突破固有服務(wù)器的設(shè)計(jì)理念，采用分布式AI節(jié)點(diǎn)加彈性靈活的處理器設(shè)計(jì)方案，可在緊湊的1U空間內(nèi)布置多路邊緣處理單元，也可以根據(jù)場景和需求不同搭配不同的CPU模塊，...
2022-06-16
凌華科技 AES-100 服務(wù)器
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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