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未來(lái)開(kāi)關(guān)電源發(fā)展或?qū)②呌跀?shù)字化與高頻化
開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)晶體管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓及電流的一種電源。根據(jù)國(guó)際知名調(diào)查機(jī)構(gòu)DATABEANS統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，從2004年至2010年每年全球開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)銷(xiāo)售額平均保持了15%左右的幅度增長(zhǎng)，到2010年約為120億美元的銷(xiāo)售額。
2012-04-12
開(kāi)關(guān)電源 數(shù)字化 高頻化
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TI新能源BMS解決方案
德州儀器于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)。
2012-04-11
TI 新能源 BMS
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動(dòng)力電池組設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)--密封與散熱的解決方案
深圳景佑能源科技有限公司于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)。
2012-04-11
景佑 高能效設(shè)計(jì) 2012szj
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薄膜電容取代鋁電解電容 超級(jí)電容做輔助動(dòng)力
雷度電子于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)。
2012-04-11
薄膜電容 超級(jí)電容 雷度電子 2012szj
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新能源系統(tǒng)研發(fā)中超高壓測(cè)量和超低壓信號(hào)測(cè)量的挑戰(zhàn)
美國(guó)力科于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)。
2012-04-11
高能效設(shè)計(jì) 力科 示波器 2012szj
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高能效設(shè)計(jì)——中國(guó)北車(chē)永濟(jì)IGBT性能探秘
我國(guó)電傳動(dòng)系統(tǒng)的龍頭企業(yè)——北車(chē)永濟(jì)于2012年4月10日出席了由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting在深圳舉辦的第九屆高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)。
2012-04-11
中國(guó)北車(chē)永濟(jì) IGBT 高能效設(shè)計(jì) 2012szj
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汽車(chē)半導(dǎo)體開(kāi)始邁向數(shù)字化智能化
隨著人們消費(fèi)水平的不斷提高，消費(fèi)者對(duì)車(chē)的要求開(kāi)始越來(lái)越高了。從追求單一的安全性能，時(shí)尚的外觀(guān)設(shè)計(jì)，到 燃油效率，而這些方面均需要使用半導(dǎo)體來(lái)監(jiān)測(cè)和控制系統(tǒng)。其次，半導(dǎo)體含量較多的中檔和高檔汽車(chē)比入門(mén)級(jí)汽車(chē)更受歡迎。第三，新的汽車(chē)功能特點(diǎn)大量涌現(xiàn)。
2012-04-11
汽車(chē) 半導(dǎo)體
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基于CAV424的電容式壓力傳感器測(cè)量電路設(shè)計(jì)方案
隨著差動(dòng)式硅電容傳感器廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)中，對(duì)差動(dòng)電容信號(hào)的檢測(cè)至關(guān)重要。文中提出基于CAV424電容檢測(cè)芯片作為前置檢測(cè)單元，實(shí)現(xiàn)了電容壓力傳感器測(cè)量電路。該電路具有穩(wěn)定性好，通過(guò)非線(xiàn)性補(bǔ)償有良好的線(xiàn)性。實(shí)驗(yàn)表明實(shí)際電路與理論分析具有良好的一致性。
2012-04-11
CAV424 電容式 壓力傳感器 測(cè)量電路
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飛兆半導(dǎo)體與英飛凌簽署MOSFET封裝工藝H-PSOF許可協(xié)議
英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車(chē)級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF（帶散熱盤(pán)的塑料小外形扁平引腳封裝）——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝（MO-299）——的許可協(xié)議。
2012-04-11
飛兆半導(dǎo)體 英飛凌科技 MOSFET封裝工藝 H-PSOF 許可協(xié)議
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