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如何解決高頻信號傳輸領域存在的阻抗失配現象
在高頻領域,信號或電磁波必須沿著具有均勻特征阻抗的傳輸路徑傳播。一旦阻抗失配或不連續(xù)現象,一部分信號被反射回發(fā)送端,剩余部分電磁波將繼續(xù)被傳輸到接收端。
2021-08-24
高頻信號傳輸 阻抗失配
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如何將EMI控制在極低水平?這款穩(wěn)壓器來助力
汽車、交通運輸和工業(yè)應用對噪聲敏感并且需要低EMI電源解決方案。傳統(tǒng)方法通過減慢開關邊沿或降低開關頻率來控制 EMI。這兩種方法都會產生不良的影響,例如效率下降,最短接通和關斷時間增加,以及需要采用大尺寸的解決方案。EMI 濾波器或金屬屏蔽等替代方案在所需的電路板空間、組件和裝配方面增加...
2021-08-24
EMI控制 穩(wěn)壓器
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如何計算不帶電感的DC-DC轉換中電荷泵的功耗?
系統(tǒng)工程中一個常見的問題是子系統(tǒng),其主電源無法滿足其電源需求。在這種情況下,可用的供電軌不能直接使用,也不能直接使用電池電壓(如果有)??臻g不足會阻止包含最佳數量的電池,否則放電電池的電壓下降可能不適用于該應用。
2021-08-24
DC-DC轉換 電荷泵
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康普觀點:體育場館穩(wěn)步恢復,5G賦能更佳觀賽體驗
隨著全球大部分地區(qū)的封鎖限制日漸放寬,人們的日常生活也在逐步地回歸往昔。疫情影響下,許多大型集會被迫暫停,其中最令人懷念的就是在現場觀看緊張刺激的體育比賽?,F下,多地的賽事組織者和協(xié)會正籌劃重啟大型體育賽事,屆時將會吸引到大量觀眾的參與。在觀看包括奧運會、足球等賽事時,越來越...
2021-08-24
康普 5G 觀賽體驗
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微結構不均勻性(負載效應)及其對器件性能的影響:對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結構中,電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負載效應 DRAM
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IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設計及使用過程中如何保證其可靠運行,一直都是研發(fā)工程師最為關心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)以內,還要對器件及系統(tǒng)的熱特性進行精確設計,才能既保證器件長期可靠運行,又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
IGBT模塊 散熱系統(tǒng)
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數字IC的高級封裝盤點與梳理
數字 IC 的封裝選項(以及相關的流行詞和首字母縮略詞)繼續(xù)成倍增加。微處理器、現場可編程門陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級數字 IC 以多種封裝形式提供。
2021-08-23
數字IC 高級封裝
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