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在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導(dǎo)通電阻 溫度變化
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負(fù)壓脈沖高？教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對(duì)高效率電源的需求越來越多。而提升電源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素就在于開關(guān)電源中的功率部分。
2021-09-07
負(fù)壓脈 5G通信 電源效率
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開關(guān)電源中的局部放電
局部放電（partial discharge，簡稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個(gè)區(qū)域的電場強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場強(qiáng)時(shí)，該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都...
2021-09-07
開關(guān)電源 局部放電
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！
MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項(xiàng)目！
2021-09-07
MOSFET 炸機(jī) 開關(guān)電源
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高速SerDes均衡之FFE
高速接口SerDes為實(shí)現(xiàn)芯片間信號(hào)的有線傳輸，需要完成數(shù)字到模擬的轉(zhuǎn)化，經(jīng)過通道傳輸后，再將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)回?cái)?shù)字信號(hào)。并保證傳輸過程保持比較低的誤碼率。本期，結(jié)合信道的特性，我們來了解一下SerDes的發(fā)送端TX的均衡原理。
2021-09-07
高速接口 均衡原理
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新能源汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)結(jié)構(gòu)與工作原理
驅(qū)動(dòng)電機(jī)是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件，是車輛行駛的主要執(zhí)行機(jī)構(gòu)，其特性決定了車輛的主要性能指標(biāo)，直接影響車輛動(dòng)力性、經(jīng)濟(jì)性和舒適性。它是把電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的一種設(shè)備，它利用勵(lì)磁線圈，產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場形成磁電動(dòng)力旋轉(zhuǎn)力矩。導(dǎo)線在磁場中受力的作用，使電機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩。
2021-09-07
新能源汽車 驅(qū)動(dòng)電機(jī) 工作原理
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【成功案例】如何快速實(shí)現(xiàn)“QFN封裝仿真”？
QFN是一種焊盤尺寸小、封裝體積小、以塑封材料組成的表面貼裝芯片封裝技術(shù)。由于其底部中央的一大塊裸露焊盤被焊接到PCB的散熱焊盤上，使得QFN具有極佳的電熱性能。另外，在中央焊盤的封裝外圍有實(shí)現(xiàn)電氣連接的導(dǎo)電焊盤，這種封裝特別適合任何一個(gè)對(duì)尺寸、成本和性能都有要求的應(yīng)用場景，從而被市場...
2021-09-07
案例 QFN封裝 仿真
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