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基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上...
2022-02-08
基本半導(dǎo)體 碳化硅肖特基二極管
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針對(duì)SiC串?dāng)_抑制方法的測(cè)試報(bào)告
近年來(lái)，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開(kāi)關(guān)頻率、高開(kāi)關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負(fù)向安全電壓較小，串?dāng)_問(wèn)...
2022-02-08
SiCMOSFET 串?dāng)_抑制
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焦耳偷竊電路
這是一個(gè)來(lái)自于網(wǎng)站 Circuits DIY[1] 中的一篇博文，名字很有趣：Simple Joule Thief Circuit[2] ，直譯為焦耳偷竊電路。這個(gè)電路允許使用一個(gè)低壓電池（比如1.5V的干電池）去點(diǎn)亮一個(gè)原本需要1.85V才能夠點(diǎn)亮的白色LED。在博文 幾種不同顏色LED的V-A曲線[3] 中，給出了不同顏色LED導(dǎo)通所需要的電...
2022-02-08
焦耳偷竊電路 原理圖
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Bourns宣布IsoMOV? 保護(hù)器榮獲 2021 年度電子產(chǎn)品無(wú)源產(chǎn)品獎(jiǎng)
Bourns宣布，其 IsoMOV? 保護(hù)器贏得了2021 年度電子產(chǎn)品無(wú)源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Bourns? IsoMOV ? 混合保護(hù)組件被選為 MOV 設(shè)備設(shè)計(jì)的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合設(shè)計(jì)提供了一種創(chuàng)新的保護(hù)解決方案，可解決 MOV 退化問(wèn)題，同時(shí)顯著提高浪涌性能、使用壽命和設(shè)備可靠性。
2022-02-07
Bourns IsoMOV? 保護(hù)器 無(wú)源產(chǎn)品獎(jiǎng)
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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中的頻率選擇（下）
本文是深入研究開(kāi)關(guān)頻率設(shè)計(jì)的系列文章之下篇。上篇回顧了如何計(jì)算開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)鍵指標(biāo)，以及更高頻率設(shè)計(jì)的難點(diǎn)所在。本文將把這些開(kāi)關(guān)頻率的概念應(yīng)用到實(shí)際場(chǎng)景當(dāng)中。
2022-02-07
開(kāi)關(guān)電源 設(shè)計(jì) 頻率
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識(shí)別并消除次諧波振蕩
DC/DC的不穩(wěn)定是由多種因素造成的，例如補(bǔ)償參數(shù)不當(dāng)或布局不足。本文將主要討論次諧波振蕩，這是一種當(dāng)電流模式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器具有連續(xù)電感電流且占空比超過(guò) 50% 時(shí)可能產(chǎn)生的不穩(wěn)定形式，而這種振蕩會(huì)導(dǎo)致不穩(wěn)定的電源。
2022-02-07
消除 次諧波振蕩 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
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如何控制原邊振鈴
反激電源是最常用的拓?fù)渲?。其變壓器漏感常?huì)引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會(huì)損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過(guò)變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計(jì)來(lái)控制振鈴非常重要。針對(duì)如何降低漏感，MPS 引入了一種 RCD 鉗位電路設(shè)計(jì)策略，下面我們將對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)地描述。
2022-02-07
控制 原邊 振鈴
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