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單片機中晶振的工作原理是什么？
晶振在單片機中是必不可少的元器件，只要用到CPU的地方就必定有晶振的存在，那么晶振是如何工作的呢？
2022-02-18
單片機 晶振
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貿(mào)澤與Qorvo攜手推出全新電子書探索電子設(shè)計中的電源效率
專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Qorvo?攜手推出全新電子書《Powering Up Your Design》（讓電源管理為設(shè)計注入活力），重點介紹新一代技術(shù)和器件如何受益于高效電源管理。本書中，來自Qorvo和貿(mào)澤的行業(yè)專家對電源管理中至關(guān)重要的元件、架...
2022-02-17
貿(mào)澤 Qorvo 電子書
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Digi-Key 宣布與 SPARK Microsystems 達成全球分銷協(xié)議
全球供應(yīng)品類極豐富、發(fā)貨超快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商Digi-Key Electronics，日前宣布與SPARK Microsystems達成全球分銷協(xié)議，為高性能個人局域網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備提供超低功耗無線通信器件。
2022-02-17
Digi-Key SPARK Microsystems 個人局域網(wǎng) 物聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備
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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對稱的布板設(shè)計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
SiC MOSFET 模塊 硬并聯(lián)
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ADALM2000實驗：CMOS模擬開關(guān)
理想的模擬開關(guān)不存在導(dǎo)通電阻，具有無窮大的關(guān)斷阻抗和零延時，可以處理大信號和共模電壓。實際使用MOS晶體管構(gòu)建的模擬開關(guān)并不符合這些要求，但是如果我們了解模擬開關(guān)的局限性，多數(shù)也是可以克服的。導(dǎo)通電阻是其中一項局限因素，本實驗活動將嘗試表征此開關(guān)規(guī)格。
2022-02-17
ADALM2000 CMOS 模擬開關(guān)
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集成驅(qū)動器！原來，GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強……因此可實現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動能力、更快的開關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、...
2022-02-17
集成驅(qū)動器 GaN電源 系統(tǒng)性能
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波反射——為何在RF設(shè)計中理解這個概念非常重要？
本文面向非RF工程師，簡單介紹了與RF設(shè)計固有的關(guān)鍵特性相關(guān)的術(shù)語：波反射。在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設(shè)計的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計可采用多種波長的尺寸，導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特...
2022-02-17
波反射 RF 設(shè)計
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