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從基礎(chǔ)到應(yīng)用全面解析無鉛焊接工藝技術(shù)
在電子制作過程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點(diǎn)必須牢固、圓滑，所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對(duì)人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀，無鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新，無鉛焊接工藝的...
2010-03-11
基礎(chǔ) 無鉛焊接 焊接工藝 技術(shù) 測(cè)試工作坊
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2010年加速度傳感器市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)分析
傳感器產(chǎn)業(yè)作為國(guó)內(nèi)外公認(rèn)的具有發(fā)展前途的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，以其技術(shù)含量高、經(jīng)濟(jì)效益好、滲透能力強(qiáng)、市場(chǎng)前景廣等特點(diǎn)為世人矚目。目前，全球傳感器市場(chǎng)正呈現(xiàn)出快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，據(jù)資訊公司INTECHNOCONSULTING的市場(chǎng)報(bào)告顯示，2008年全球傳感器市場(chǎng)容量為506億美元，預(yù)計(jì)2010年全球傳感器市場(chǎng)可達(dá)600億...
2010-03-11
加速度傳感器 市場(chǎng) 趨勢(shì) 分析
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飛思卡爾推出高能效三軸加速度傳感器
iSuppli最近的一項(xiàng)報(bào)告表明，預(yù)計(jì)2012年MEMS市場(chǎng)將從2006年的56億美元增長(zhǎng)到83億美元。調(diào)查顯示，2001年只有3%的手機(jī)采用了加速度傳感器，由于MEMS技術(shù)的發(fā)展以及消費(fèi)者對(duì)增強(qiáng)型用戶界面的需求，到2010年，采用加速度傳感器的手機(jī)數(shù)量將激增到33%。
2010-03-11
飛思卡爾 高能效 三軸 加速度傳感器
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ARM Cortex-M3內(nèi)核MCU又添新兵，初創(chuàng)公司主打超低功耗應(yīng)用
采用Cortex-M3內(nèi)核的MCU廠商通常關(guān)注以下幾點(diǎn)特性：更低的功耗，更高的運(yùn)算能力，更低的價(jià)格，更多的外設(shè)。日前，一家來自挪威的初創(chuàng)公司Energy Micro就主打低功耗特性，發(fā)布了新的Cortex-M3內(nèi)核MCU產(chǎn)品系列。
2010-03-11
Cortex-M3 Energy Micro MCU
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中電器材LED照明解決方案研討會(huì)成功召開
3月5日下午，中國(guó)電子器材深圳有限公司攜手美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司（NSC）與臺(tái)灣興華電子（CSC）在深圳市華強(qiáng)北電子科技大廈成功舉辦LED照明解決方案研討會(huì)
2010-03-11
中電器材 LED照明 LED路燈 研討會(huì)
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IP4284CZ10：恩智浦為USB 3.0和eSATA推出ESD保護(hù)設(shè)備
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布，為USB 3.0和eSATA之類的高速差分接口推出一種新的ESD保護(hù)設(shè)備IP4284CZ10。IP4284CZ10提供了業(yè)內(nèi)最低的差分串?dāng)_及完美的線路到線路電容匹配和直通布線能力，優(yōu)化了信號(hào)完整性。
2010-03-11
IP4284CZ10 恩智浦為 USB 3.0 eSATA ESD保護(hù)設(shè)備
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。
2010-03-11
恩智浦 晶體管 SMD封裝 BISS-4
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