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控制電機(jī)控制器的微控制器
您可能已經(jīng)在框圖中注意到 EFM8 似乎由 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的 5 V 供電。但實際上,EFM8 有一個集成的線性穩(wěn)壓器,可接受 5 V 輸入并生成 3.3 V 電壓供自身使用和外部電路使用。J2 是一個三針接頭,允許用戶通過 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或 USB 連接提供的 5 V 電壓為 EFM8 供電。
2023-08-03
控制 電機(jī)控制器 微控制器
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板載電源:定制還是標(biāo)準(zhǔn)?
在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中設(shè)計電路板的電源部分時,很容易從目錄中選擇標(biāo)準(zhǔn)模塊。如今,許多供應(yīng)商提供各種優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,無論是隔離磚還是非隔離負(fù)載點(diǎn)模塊 (POL)。
2023-08-03
板載電源 嵌入式系統(tǒng) 電路板
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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動器和交流 (AC) 逆變器中,碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率,SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時需要精確的驅(qū)動電壓(具體取決于所使用的器件)。
2023-08-03
SiC MOSFET Si IGBT 柵極驅(qū)動 電源系統(tǒng)
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1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何應(yīng)對持續(xù)挑戰(zhàn)?
SiC 等寬禁帶 (WBG) 器件對于當(dāng)今汽車和可再生能源等應(yīng)用至關(guān)重要。隨著我們的世界逐漸轉(zhuǎn)向使用可持續(xù)能源(主要是電力),能效比以往任何時候都更重要。提高開關(guān)模式能效的方法之一是降低銅損和開關(guān)損耗。然而,為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),直流母線電壓不斷上升,半導(dǎo)體技術(shù)必須發(fā)展以跟上步伐。這些技術(shù)對...
2023-08-03
高性能 碳化硅器件 安森美
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穩(wěn)壓二極管的動態(tài)電阻
穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時電流會急劇升高的特性進(jìn)行穩(wěn)壓,表現(xiàn)出此時的動態(tài)電阻 Rz,也就是增加的 電壓除以增加的電流 ,所得到的比值比較小,這樣就會使得外部電壓的波動對穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。
2023-08-03
穩(wěn)壓二極管 動態(tài)電阻
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晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算
功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器,UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式,對晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說明,給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計算,請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。
2023-08-03
晶閘管 UPS 損耗
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AFE8092幀同步特性簡析
TI Transceiver芯片是高集成度,高性能的射頻收發(fā)器芯片。產(chǎn)品族內(nèi)產(chǎn)品架構(gòu)種類豐富。在產(chǎn)品架構(gòu)方面,包括了以AFE77xx系列為代表的零中頻架構(gòu)收發(fā)信機(jī),以AFE80xx, AFE79xx,AFE76xx系列為代表的射頻直采架構(gòu)收發(fā)信機(jī)。在產(chǎn)品通道數(shù)方面,支持最低2T2R1F,4T4R2F到8T8R2F的通道數(shù)。同時,也支持大...
2023-08-03
AFE8092 射頻收發(fā)器
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