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一文詳解場效應(yīng)管電流源
FET電流源是一種有源電路，它使用場效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方法，只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-08-14
場效應(yīng)管 電流源
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帶LED的無偏數(shù)字骰子
在本項目中，我將向您展示如何用 LED 制作一個簡單的無偏差電子骰子。該項目由 6 個 LED、一個 555 定時器集成電路和一個 4017 十進(jìn)制計數(shù)器集成電路組成，通過點(diǎn)亮相應(yīng)的 LED 產(chǎn)生 1 到 6 之間的隨機(jī)數(shù)。
2023-08-14
LED 數(shù)字骰子
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串行通信協(xié)議比較
使用串行接口有許多不同的原因。常見的問題之一是在開發(fā)期間和/或在現(xiàn)場需要與 PC 連接。大多數(shù)（如果不是全部）PC 都具有某種可用于連接外圍設(shè)備的串行總線接口。對于必須與通用計算機(jī)連接的嵌入式系統(tǒng)，串行接口通常比 ISA 或 PCI 擴(kuò)展總線更容易使用。
2023-08-14
串行通信協(xié)議
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高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計理念
合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。
2023-08-14
SiC MOSFET 技術(shù)
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
IGBT單管 數(shù)據(jù)手冊 參數(shù)
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意法半導(dǎo)體曹志平：持續(xù)創(chuàng)新，為可持續(xù)發(fā)展的世界創(chuàng)造可持續(xù)發(fā)展技術(shù)
本期“理想伙伴說”來到了意法半導(dǎo)體，理想汽車供應(yīng)鏈半導(dǎo)體總監(jiān)劉洋采訪了意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、中國區(qū)銷售＆市場負(fù)責(zé)人曹志平先生，雙方共同討論了新能源汽車可持續(xù)發(fā)展與意法半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新的經(jīng)驗(yàn)。
2023-08-14
意法半導(dǎo)體 汽車電子
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普通電機(jī)為啥不能當(dāng)變頻電機(jī)使用？
變頻器在運(yùn)行中能產(chǎn)生不同程度的諧波電壓和電流，使電動機(jī)在非正弦電壓、電流下運(yùn)行，里面的高次諧波會引起電動機(jī)定子銅耗、轉(zhuǎn)子銅耗、鐵耗及附加損耗增加，最為顯著的是轉(zhuǎn)子銅耗，這些損耗會使電動機(jī)額外發(fā)熱，效率降低，輸出功率減小，普通電動機(jī)溫升一般要增加10%－20%。
2023-08-14
普通電機(jī) 變頻電機(jī)
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