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基于STEP FPGA的旋轉(zhuǎn)編碼器電路驅(qū)動(dòng)
旋轉(zhuǎn)編碼器是用來(lái)測(cè)量轉(zhuǎn)速的裝置,因其人性化的操作被用于越來(lái)越多的電子設(shè)備中,旋轉(zhuǎn)編碼器有多種分類:以編碼器工作原理可分為:光電式、磁電式和觸點(diǎn)電刷式。以碼盤(pán)刻孔方式不同分為:增量式和絕對(duì)式兩類。
2023-11-29
STEP FPGA 旋轉(zhuǎn)編碼器 電路驅(qū)動(dòng)
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炬芯科技周正宇博士:存內(nèi)計(jì)算是突破AI芯片算力和功耗矛盾的關(guān)鍵
聲音是人與人交戶的重要手段,在AI興起的現(xiàn)今,也是人與機(jī)器相互溝通的手段之一。從模擬階段的留聲機(jī)開(kāi)始到現(xiàn)在,人類對(duì)于高清化、高保真的追求一刻沒(méi)有停歇過(guò),也逐漸擺脫了線束的約束。對(duì)音頻來(lái)說(shuō),芯片至關(guān)重要,它既要擁有足夠的算力,也要擁有足夠低的功耗。
2023-11-29
炬芯科技 存內(nèi)計(jì)算 AI芯片 算力 功耗
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以工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小,工藝步驟差異變大,工藝窗口也變得越來(lái)越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)不足,評(píng)估不同集成方案的工藝窗口會(huì)變得困難。為克服這一不足,我們將舉例說(shuō)明如何借助虛擬制造評(píng)估 DRAM 電容器圖形化工藝的工...
2023-11-29
工藝窗口 建模 虛擬制造 DRAM電容器
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如何設(shè)計(jì)電池充電速度快4倍的安全可穿戴設(shè)備
隨著可穿戴設(shè)備革新的持續(xù)推進(jìn),對(duì)穩(wěn)健電源架構(gòu)的需求不斷增加。在過(guò)去十年中,我們看到可穿戴健康監(jiān)測(cè)設(shè)備大幅增長(zhǎng),這些設(shè)備的下一代可能會(huì)在相同的小尺寸解決方案中集成更多功能。可穿戴設(shè)備通常要求支持Wi-Fi、藍(lán)牙?并具備生命體征監(jiān)測(cè)(VSM)功能。對(duì)更多功能的需求,要求系統(tǒng)級(jí)和IC級(jí)設(shè)計(jì)人員更...
2023-11-29
電池 充電速度快 可穿戴設(shè)備
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航順HK32C030胎心儀MCU方案“解讀”生命律動(dòng),穩(wěn)穩(wěn)的!
“胎心監(jiān)護(hù)”是孕晚期產(chǎn)檢中必不可少的一個(gè)項(xiàng)目,聽(tīng)著胎寶寶“噗通、噗通”的生命律動(dòng),能讓每位準(zhǔn)爸爸準(zhǔn)媽媽感受到穩(wěn)穩(wěn)的幸福。
2023-11-29
航順 胎心儀 MCU
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如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路?
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件,能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開(kāi)關(guān),同時(shí)開(kāi)關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率。之前的文章中,我們介紹了SiC MOSFET 特有...
2023-11-29
SiC 柵級(jí)驅(qū)動(dòng)
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振動(dòng)場(chǎng)合的電源模塊該如何選型?
在不同的應(yīng)用環(huán)境,該如何進(jìn)行電源模塊的應(yīng)用選型?選擇合適電源模塊可以延長(zhǎng)模塊的使用壽命,本文主要是介紹在振動(dòng)場(chǎng)合電源模塊可能出現(xiàn)的一些失效形態(tài)和如何選用可靠的電源模塊。
2023-11-29
振動(dòng)場(chǎng)合 電源模塊 選型
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