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碳化硅模塊助力更可靠更高效的換電站快充電路設(shè)計(jì)
在電動(dòng)車發(fā)展的過(guò)程當(dāng)中,充電和換電是兩個(gè)同時(shí)存在的方案。車載充電OBC可以通過(guò)兩相或三相電給汽車充電,但其無(wú)法滿足快充的需求?,F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速,已經(jīng)有600kW的超充出現(xiàn),充電速度越來(lái)越逼近換電速度,但對(duì)電網(wǎng)壓力很大,還需要時(shí)間普及。
2024-07-08
碳化硅模塊 換電站 快充電路設(shè)計(jì)
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設(shè)計(jì)車載充電器的關(guān)鍵考慮因素,一次性講透
改用電動(dòng)汽車(EV)后,駕駛員感受到的最大變化可能是補(bǔ)能方式不一樣了。具體來(lái)說(shuō),他們不再需要驅(qū)車前往加油站,而是必須找到可用的充電點(diǎn)。
2024-07-08
車載充電器 電動(dòng)汽車
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利用 I3C 提升嵌入式系統(tǒng)
物聯(lián)網(wǎng)幾乎涉及我們?nèi)粘I畹姆椒矫婷妫瑥募矣秒娖鞯綇?fù)雜的樓宇自動(dòng)化和可穿戴設(shè)備。這些互聯(lián)設(shè)備收集和交換數(shù)據(jù),從根本上塑造了我們的數(shù)字生態(tài)系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,不同類型的傳感器發(fā)揮著關(guān)鍵作用,測(cè)量、監(jiān)控和傳遞溫度、濕度、壓力和距離等關(guān)鍵物理屬性。
2024-07-08
I3C 嵌入式系統(tǒng)
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氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體,徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導(dǎo)體的電流速度更快,因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)...
2024-07-05
氮化鎵 GaN
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為邊緣 AI 節(jié)點(diǎn)供電:邊緣 AI 對(duì)供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響
邊緣 AI 是將 AI 模型直接部署在位于網(wǎng)絡(luò)邊緣的設(shè)備上;此舉可通過(guò)采用設(shè)備上的處理功能來(lái)實(shí)現(xiàn)低延遲響應(yīng),從而減少對(duì)云計(jì)算的依賴。若將邊緣 AI 添加到物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)(構(gòu)成 AIoT(人工智能物聯(lián)網(wǎng))系統(tǒng)的組合)中,則還可以分析傳感器數(shù)據(jù)、識(shí)別模式、得出推論并在本地層面做出決策,從而盡量減少數(shù)據(jù)...
2024-07-05
邊緣 AI 供電系統(tǒng) 節(jié)點(diǎn)供電
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ST 攜汽車、工業(yè)、個(gè)人電子和云基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新技術(shù)和方案亮相2024 年慕尼黑上海電子展
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 即將亮相于2024年7月8-10日舉辦的2024年慕尼黑上海電子展 (E4.4600展臺(tái))。以“我們的科技始之于你”為主題,意法半導(dǎo)體將通過(guò)五十多個(gè)交互式應(yīng)用演示,展示為滿足客戶和不斷變化的市場(chǎng)...
2024-07-05
意法半導(dǎo)體 汽車 工業(yè) 個(gè)人電子 云基礎(chǔ)設(shè)施
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預(yù)告!2024中國(guó)西部微波射頻技術(shù)研討會(huì)7月18日將在成都舉辦
微波射頻產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,隨著5G商業(yè)模式的推陳出新和6G預(yù)研工作的快速跟進(jìn),更多小型化、低功耗、高性能微波射頻元器件不斷演進(jìn)創(chuàng)新,海域場(chǎng)景、低空經(jīng)濟(jì)、空間應(yīng)用等新質(zhì)生產(chǎn)力領(lǐng)域應(yīng)用需求爆發(fā),微波射頻技術(shù)在軍工和民用領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。作為中國(guó)重要的軍工、航空/航...
2024-07-05
西部研討會(huì) 微波射頻技術(shù)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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- SiC賦能工業(yè)充電器:拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)優(yōu)化與元器件選型實(shí)戰(zhàn)指南
- 安森美推動(dòng)無(wú)人機(jī)視覺(jué)升級(jí):AI技術(shù)讓“天空之眼”更精準(zhǔn)
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