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詳解FIR濾波器與IIR濾波器的具體區(qū)別
兩種濾波器都是數(shù)字濾波器。根據(jù)沖激響應(yīng)的不同，將數(shù)字濾波器分為有限沖激響應(yīng)（FIR）濾波器和無限沖激響應(yīng)（IIR）濾波器。對(duì)于FIR濾波器，沖激響應(yīng)在有限時(shí)間內(nèi)衰減為零，其輸出僅取決于當(dāng)前和過去的輸入信號(hào)值。對(duì)于IIR濾波器，沖激響應(yīng)理論上應(yīng)會(huì)無限持續(xù)，其輸出不僅取決于當(dāng)前和過去的輸入信...
2019-09-09
FIR濾波器 IIR濾波器 區(qū)別
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菜鳥選擇MOSFET的四步驟！
本文概括了一些MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)，這些指標(biāo)在數(shù)據(jù)表上是如何表述的，以及你理解這些指標(biāo)所要用到的清晰圖片。像大多數(shù)電子器件一樣，MOSFET也受到工作溫度的影響。所以很重要的一點(diǎn)是了解測(cè)試條件，所提到的指標(biāo)是在這些條件下應(yīng)用的。還有很關(guān)鍵的一點(diǎn)是弄明白你在“產(chǎn)品簡(jiǎn)介”里看到的這些指標(biāo)是“最...
2019-09-09
MOSFET 導(dǎo)通電阻 柵極電荷
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揭曉ADC的“前世今生”：RF采樣ADC給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器充當(dāng)現(xiàn)實(shí)模擬世界與數(shù)字世界之間的橋梁已有數(shù)十年的歷史。從占用多個(gè)機(jī)架空間并消耗大量電能（例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗為500W）的分立元件起步，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器現(xiàn)已蛻變?yōu)楦叨燃傻膯涡酒琁C。
2019-09-09
ADC RF采樣
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電容的尺寸、耐壓值、方向，這些參數(shù)該如何選擇？
電容的尺寸：對(duì)于陶瓷電容和鉭電容，其尺寸和電阻一樣，小尺寸的用英制，0201、0402、0603、0805，大尺寸的用公制，如2520、3525等。對(duì)于柱狀的電解電容，一般是用“直徑x高度”的方式來描述尺寸。
2019-09-09
電容 耐壓值 參數(shù)選擇
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熱失控保護(hù)
熱失控對(duì)電子設(shè)備的威脅日益加劇，原因在于電子設(shè)備中越來越大的功率被壓縮于愈加緊湊的空間 當(dāng)中；傳統(tǒng)方法無法妥善應(yīng)對(duì)這種威脅。SMD溫度保險(xiǎn)絲提供了一種解決方案，可實(shí)現(xiàn)260°C回流 焊，又能在達(dá)到210°C時(shí)熔斷。
2019-09-09
熱失控保護(hù) 溫度保險(xiǎn)絲
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MOSFET Qrr—在追求能效時(shí)，忽視這一參數(shù)是危險(xiǎn)的
在電流流經(jīng)MOSFET體二極管的應(yīng)用中，反向恢復(fù)電荷Qrr會(huì)引起一些重大的挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)工程師需要仔細(xì)處理。在低功耗充電器和適配器產(chǎn)品應(yīng)用中，其開關(guān)頻率高且負(fù)載電流一般小于5A，對(duì)I2R損耗的關(guān)注較少，設(shè)計(jì)工程師應(yīng)密切關(guān)注動(dòng)態(tài)損耗。選擇低Qrr MOSFET可以降低尖峰值，提高效率，降低EMI輻射。
2019-09-09
MOSFET EMI輻射
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一個(gè)變頻器如何讓一臺(tái)電機(jī)實(shí)現(xiàn)雙速和一臺(tái)正反轉(zhuǎn)？
變頻器一拖二控制兩個(gè)不同功能的電機(jī)肯定不行，因?yàn)樗挥幸唤M電源輸出，只能分別單獨(dú)來完成。也就是說變頻器可以驅(qū)動(dòng)兩臺(tái)電機(jī)但只能運(yùn)行其中的一臺(tái)，有什么辦法來實(shí)現(xiàn)呢？
2019-09-09
變頻器 電機(jī)
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