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超共源共柵簡(jiǎn)史
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中略有小成，但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹(shù)。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來(lái)了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設(shè)計(jì)。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)?lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。
2023-04-24
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大
EV 車(chē)載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。
2023-04-23
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貿(mào)澤電子擴(kuò)充智慧農(nóng)業(yè)資源中心助力相關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)
2023年4月21日 – 業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為工程師和農(nóng)業(yè)技術(shù)人員提供方便瀏覽的資源庫(kù)，重點(diǎn)關(guān)注農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的動(dòng)態(tài)發(fā)展和技術(shù)。從機(jī)器人解決方案到嵌入式系統(tǒng)，貿(mào)澤內(nèi)容全面的智慧農(nóng)業(yè)資源中心讓用戶能夠接觸到眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案，進(jìn)一步推動(dòng)農(nóng)業(yè)走向未來(lái)。貿(mào)澤提供豐富多樣的文章、博客、產(chǎn)品資料、電子書(shū)等，帶您探索智慧城市中的垂直農(nóng)業(yè)、數(shù)據(jù)融合和建造智能溫室等主題。
2023-04-21
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E-RSSI技術(shù)助力更精確的短距離測(cè)距應(yīng)用
RSSI是Received Signal Strength Indicator（接收信號(hào)強(qiáng)度指示器）的縮寫(xiě)，用于測(cè)量接收到的信號(hào)強(qiáng)度。在低功耗藍(lán)牙設(shè)備中，RSSI也具有重要的作用。
2023-04-19
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是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？
在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車(chē)（BEV）驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來(lái)越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開(kāi)始呢？
2023-04-18
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納芯微隔離和驅(qū)動(dòng)技術(shù)為SiC+800V電驅(qū)動(dòng)賦能
當(dāng)前，以新能源汽車(chē)為代表的新興汽車(chē)正在迅速替代傳統(tǒng)的燃油車(chē)，雖然新能源汽車(chē)正在成為更多人的選擇，但毋庸置疑，它在消費(fèi)者體驗(yàn)方面仍有痛點(diǎn)，一是充電不方便或充電比較慢，二是續(xù)航里程不夠。
2023-04-18
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RS瑞森半導(dǎo)體在汽車(chē)充電樁上的應(yīng)用
充電樁按照技術(shù)分類(lèi)，可分為交流充電樁也叫“慢充”，直流充電樁也叫“快充”，隨著我國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)的發(fā)展前景也更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V～700V，但隨著快速充電的需求不斷增加，整個(gè)電壓平臺(tái)都會(huì)向 800～1000V以上提升，電壓等級(jí)提升的同時(shí)也凸顯了SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-18
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貿(mào)澤聯(lián)手Apex推出全新電子書(shū)，探索高可靠性設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)與難點(diǎn)
2023年4月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Apex Microtechnology聯(lián)手推出全新電子書(shū)《An Engineer’s Guide to High Reliability Components》（面向工程師的高可靠性元件指南），探索高可靠性元件設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)和細(xì)節(jié)。書(shū)中，來(lái)自Apex Microtechnology的主題專(zhuān)家深入探討了高可靠性設(shè)計(jì)中的諸多難點(diǎn)。該書(shū)共收錄了五篇詳細(xì)的文章，分別介紹了熱管理、密封封裝和碳化硅等主題。
2023-04-14
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什么是混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)？
在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對(duì)于一些壓電加速度計(jì)，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中。現(xiàn)代 IC 通常由來(lái)自各個(gè)領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個(gè) IC 上的每個(gè) IC 設(shè)計(jì)域，或包含各種半導(dǎo)體工藝和子 IC 的封裝。
2023-04-13
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整車(chē)電子電氣架構(gòu)中的智能執(zhí)行器
還記得兩三年前，當(dāng)我們談?wù)撾娮与姎饧軜?gòu)(Electrical/Electronic Architecture，EEA)的時(shí)候，還是談?wù)摲植际郊軜?gòu)到域控架構(gòu)的升級(jí)，關(guān)于中央計(jì)算單元+區(qū)域控制器架構(gòu)，感覺(jué)還是遙不可及，電子電氣架構(gòu)發(fā)展階段圖如下所示。
2023-04-13
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使用HRPWM的注意事項(xiàng)
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升，就需要提高開(kāi)關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)頻率在50k~200kHz。然而, 由于SiC/GaN器件的大面積推廣與使用, 開(kāi)關(guān)頻率已經(jīng)提升到500kHz，甚至1MHz。當(dāng)系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)200kHz時(shí)，此時(shí)PWM脈寬的調(diào)節(jié)精度會(huì)變低, 這就需要使用高精度模式的PWM調(diào)制。我們把用于擴(kuò)展傳統(tǒng)ePWM模塊的時(shí)間精度的模塊, 稱(chēng)之為高精度PWM(High resolution PWM)。本文將對(duì)C2000TM片上HRPWM模塊的工作原理、使用方法和注意事項(xiàng)進(jìn)行詳細(xì)討論，并以實(shí)際案例進(jìn)行展示。此外，HRPWM模塊也可以作DAC輸出用來(lái)實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)的觀測(cè)。
2023-04-12
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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