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瑞薩電子推出首款支持新Matter協(xié)議的Wi-Fi開發(fā)套件
2023 年 1 月 5 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter協(xié)議的開發(fā)套件，同時宣布將在未來所有Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙?（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收購的Dialog Semiconductor和Celeno Communications產(chǎn)品上，提供對Matter的支持。
2023-01-05
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安森美的主驅(qū)逆變器碳化硅功率模塊被現(xiàn)代汽車選中用于高性能電動汽車
2023年1月5日 —領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模塊已被起亞（Kia Corporation）選中用于EV6 GT車型。這款電動汽車（EV）從零速加速到60英里/小時只需3.4秒，最高時速達(dá)161英里/小時。在該高性能電動汽車的主驅(qū)逆變器中，EliteSiC功率模塊實現(xiàn)了從電池的直流800V到后軸交流驅(qū)動的高效電源轉(zhuǎn)換。安森美會繼續(xù)與現(xiàn)代起亞汽車集團（Hyundai Motor Company and Kia Corporation，簡稱HMC/KIA）合作，將EliteSiC技術(shù)用于其即將推出的基于電動化全球模塊型平臺（E-GMP）的高性能電動汽車。
2023-01-05
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應(yīng)用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應(yīng)用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動對供電的特殊要求，對不同供電設(shè)計方案的優(yōu)劣勢進行了分析。
2023-01-05
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細(xì)數(shù)心臟起搏器和ICD之間的差異
對于全球數(shù)百萬需要借助外力來調(diào)節(jié)心律的人來說，心臟起搏器和植入式心律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器（ICD）是他們所依賴的、能夠改變生活的技術(shù)。雖然這兩種設(shè)備都是植入式醫(yī)療設(shè)備，旨在改善心律失常（一種心臟不規(guī)則跳動的疾?。┗颊叩纳钯|(zhì)量，但它們各自有著不同的用途。
2023-01-05
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貿(mào)澤電子推出傳感器設(shè)計資源網(wǎng)站
2023年1月3日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新資源網(wǎng)站，專門提供傳感器設(shè)計指南。該網(wǎng)站收錄了豐富的技術(shù)文章，并且還在持續(xù)更新中。這些文章專門介紹傳感器設(shè)計應(yīng)用的復(fù)雜性，并為工程師提供解決復(fù)雜設(shè)計挑戰(zhàn)所需的信息。讀者可訪問https://resources.mouser.com/sensor-design-guides進入該資源網(wǎng)站。
2023-01-04
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ADI和Seeing Machines攜手推進先進駕駛輔助系統(tǒng)，加速提升駕駛安全
中國，北京—2023年1月4日—Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)（全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司）和Seeing Machines (LSE:SEE)（先進的計算機視覺技術(shù)公司，擅長設(shè)計基于AI的駕駛員監(jiān)測系統(tǒng)，以提高行駛安全性）宣布達(dá)成合作，共同支持高性能駕駛員和乘客監(jiān)測系統(tǒng)(DMS/OMS)技術(shù)的研發(fā)。
2023-01-04
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Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現(xiàn)更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。
2023-01-04
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淺談“電壓處理”：一個鋁電解電容選型應(yīng)用必須了解的知識點
我們可能會發(fā)現(xiàn)在Nichicon的UVZ系列鋁電解電容的數(shù)據(jù)手冊中會出現(xiàn)“電壓處理”（Voltage Treatment）這個概念。
2023-01-04
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2022中國（深圳）集成電路峰會圓滿落下帷幕
“2022中國（深圳）集成電路峰會”(簡稱ICS2022峰會)于12月29日和30日成功舉辦高峰論壇和全球存儲器行業(yè)創(chuàng)新論壇二個主論壇，以及六場專題論壇，包括集成電路設(shè)計創(chuàng)新論壇、芯火平臺產(chǎn)教融合創(chuàng)新發(fā)展論壇、半導(dǎo)體供應(yīng)鏈發(fā)展論壇、集成電路產(chǎn)業(yè)融合論壇、珞珈聚芯協(xié)同創(chuàng)新論壇和國微 EDA 生態(tài)建設(shè)論壇。專業(yè)觀眾與行業(yè)專家和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)可廣泛討論了技術(shù)、產(chǎn)品、市場、投資、產(chǎn)學(xué)研商合作、國際環(huán)境對策、人才戰(zhàn)略和務(wù)實的技術(shù)創(chuàng)新路線。
2023-01-01
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
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2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山隆重召開
由深圳市人民政府、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)新強鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月29日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重召開。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產(chǎn)業(yè)最新的技術(shù)成果，聚集了眾多國內(nèi)外專家學(xué)者、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進趨勢與熱點應(yīng)用、資本整合與運作模式創(chuàng)新、芯片與整機產(chǎn)業(yè)聯(lián)動等方向，共同探討新形勢下集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的機遇。
2022-12-29
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“創(chuàng)新強鏈，雙驅(qū)發(fā)展”2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山第二天論壇熱烈進行中（上）
由深圳市人民政府、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)芯、 強鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續(xù)第二天多場行業(yè)論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產(chǎn)業(yè)最新的技術(shù)成果，聚集了眾多國內(nèi)外專家學(xué)者、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進趨勢與
2022-12-29
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