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日本地震影響電子元件供應(yīng)與價格
日本地震與海嘯可能導(dǎo)致某些電子元件嚴重短缺，進而推動這些元件的價格大幅上漲。雖然目前幾乎沒有關(guān)于電子工廠實際損失的報道，但運輸與電力設(shè)施受到破壞將導(dǎo)致供應(yīng)中斷，造成元件供應(yīng)短缺和價格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標準邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
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F-RAM會帶來RFID標簽的革命嗎？
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標準無線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的成長。對40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。
2010-06-21
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內(nèi)存晴雨表-NAND價格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境
NAND價格持續(xù)透明，導(dǎo)致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需求已促使廠商逐步重新啟動和重新裝備其閑置的工廠。
2010-04-02
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