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電機(jī)和碳化硅在商用車應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
本文將從二氧化碳減排、未來動力總成的技術(shù)驅(qū)動因素等角度對商用車進(jìn)行討論，并探討了基于碳化硅（SiC）的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件，這些器件可以實(shí)現(xiàn)外形更小、效率更高和功能更強(qiáng)大的轉(zhuǎn)換器。在商用車領(lǐng)域，與乘用車相比，由于驅(qū)動架構(gòu)不同，這個(gè)領(lǐng)域并沒有一個(gè)通用的解決方案適用于所有情況。
2023-09-22
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貿(mào)澤電子供應(yīng)豐富多樣的u-blox連接和定位產(chǎn)品
2023年9月22日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)業(yè)界知名定位和無線通信技術(shù)制造商u-blox的廣泛產(chǎn)品組合。貿(mào)澤通過與u-blox建立的全球授權(quán)代理合作關(guān)系，為客戶在汽車、工業(yè)和消費(fèi)類設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)計(jì)流程提供支持。
2023-09-22
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重磅！國產(chǎn)碳化硅設(shè)備再獲佳績
近日，國產(chǎn)SiC設(shè)備又傳來了振奮人心的消息：北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機(jī)實(shí)現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術(shù)突破。
2023-09-21
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實(shí)施混合式數(shù)據(jù)分析平臺的三個(gè)步驟
過去八年間，數(shù)據(jù)中臺及其“統(tǒng)一數(shù)據(jù)、統(tǒng)一服務(wù)、統(tǒng)一身份（One data, one service, one ID）”理念的廣泛采用，推動了中心化數(shù)據(jù)平臺和職責(zé)的普及。2023年Gartner中國CIO調(diào)研顯示，80%的中國受訪者依賴中心化IT部門來提供IT架構(gòu)能力、數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)安全標(biāo)準(zhǔn)和政策。
2023-09-21
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硅基氮化鎵在射頻市場的應(yīng)用日益廣泛
氮化鎵技術(shù)將繼續(xù)在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應(yīng)用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能影響未來的電信技術(shù)。
2023-09-21
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長電科技鄭力：高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革
第24屆電子封裝技術(shù)國際會議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國際合作。長電科技董事、首席執(zhí)行長鄭力出席會議,發(fā)表《高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革》主題演講。
2023-09-21
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AMD蘇姿豐：AI對未來芯片設(shè)計(jì)十分重要，已列為戰(zhàn)略重點(diǎn)
據(jù)wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會（WAIC），她在大會上表示，人工智能技術(shù)是未來芯片開發(fā)的發(fā)展方向，可以在測試和驗(yàn)證階段提供幫助。
2023-09-21
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提升直流穩(wěn)壓電路的效率并降低噪聲
在高效率非常重要的場合，開關(guān)穩(wěn)壓器是電壓調(diào)節(jié)的理想選擇。但是，開關(guān)穩(wěn)壓器仍然會消耗一些能量，而且開關(guān)噪聲可能是一個(gè)挑戰(zhàn)。利用 Analog Device 的直通特性，用戶可以實(shí)現(xiàn)效率的顯著提升和無噪聲運(yùn)行。負(fù)載對電壓波動的承受能力越強(qiáng)，潛在效益越大。
2023-09-20
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使用電荷泵驅(qū)動外部負(fù)載
CS5521/23、CS5522/24/28 和 CS5525/26 系列 A/D 轉(zhuǎn)換器包含斬波穩(wěn)定儀表放大器，用于測量低電平直流信號（±100 mV 或更?。?。該放大器設(shè)計(jì)用于產(chǎn)生非常低的輸入采樣電流（在 -40 至 +85?C 范圍內(nèi)，ICVF < 300 pA）。當(dāng)使用高阻抗電路進(jìn)行輸入保護(hù)時(shí)，低輸入電流可限度地減少熱電偶測量中可能出現(xiàn)的誤差，如圖 1 所示。
2023-09-20
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IGBT驅(qū)動芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。
2023-09-19
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。
2023-09-18
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如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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