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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計
本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動器）的 IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計。
2023-10-25
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基于光學(xué)發(fā)射光譜法監(jiān)測等離子體的光譜峰
海洋光學(xué)（Ocean Optics）長期以來一直為半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商的新材料研究提供強大支持，同時協(xié)助用戶克服等離子刻蝕、沉積、涂層和清潔等方面的困難和挑戰(zhàn)。海洋光學(xué)的光譜儀，基于光學(xué)發(fā)射光譜技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于等離子體監(jiān)測，并在刻蝕終點檢測方面表現(xiàn)出色。
2023-10-24
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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到了廣泛認可。不過，SiC 的材料優(yōu)勢還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時比較機械保護和使用不同半導(dǎo)體器件實現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。
2023-10-23
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艾睿5G和Wi-Fi 6融合無線通信解決方案
5G和Wi-Fi是針對不同應(yīng)用需求所開發(fā)的通信技術(shù)，看似針對不同的市場與需求，但其實彼此之間具有互補性，若能夠?qū)?G和Wi-Fi技術(shù)相結(jié)合，將能夠發(fā)揮5G和Wi-Fi技術(shù)各自的優(yōu)勢，并藉此擴大應(yīng)用領(lǐng)域與市場。本文將為您介紹5G和Wi-Fi技術(shù)的最新發(fā)展與5G CPE（Customer Premises Equipment，用戶駐地設(shè)備）的應(yīng)用模式，以及由艾睿電子、Nordic等公司推出的相關(guān)解決方案。
2023-10-23
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射頻信號鏈的原位非線性校準(zhǔn)
提出了一種線性化級聯(lián)組合信號IC的新方法，用于原位校正PCB缺陷和相互加載。這樣可以大幅縮短系統(tǒng)設(shè)計/原型設(shè)計周期，并以可忽略不計的功耗成本最大限度地提高信號鏈性能。報告了使用高達3GHz的RF信號并使用12b/10GSPS ADC進行的實驗結(jié)果，驗證了該方法的有效性。
2023-10-23
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功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時，柵極電阻選型注意事項
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區(qū)時間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應(yīng)用中的優(yōu)缺點。
2023-10-22
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如何保護電源系統(tǒng)設(shè)計免受故障影響
正常運行時間是工業(yè)自動化、樓宇自動化、運動控制和過程控制等應(yīng)用中保障生產(chǎn)力和盈利能力的關(guān)鍵指標(biāo)。執(zhí)行維護、人為失誤和設(shè)備故障都會導(dǎo)致停機。與停機相關(guān)的維修成本和生產(chǎn)力損失可能非常高，具體取決于行業(yè)和事件的性質(zhì)。與維護和人為失誤相關(guān)的停機無法避免，但大多數(shù)與設(shè)備相關(guān)的故障是可以預(yù)防的。本文重點介紹由電源故障引起的停機，以及如何在設(shè)備的電源系統(tǒng)中使用現(xiàn)代保護IC來防止發(fā)生電源故障。
2023-10-21
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給SiC FET設(shè)計PCB有哪些注意事項？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關(guān)速度和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應(yīng)電流和電壓，導(dǎo)致效率降低，組件受到應(yīng)力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導(dǎo)通電阻通常以毫歐為單位進行測量，因此，PCB跡線電阻可能相當(dāng)大，須謹(jǐn)慎降低以保持低系統(tǒng)傳導(dǎo)損耗。
2023-10-21
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低功耗、精準(zhǔn)檢測、超長待機，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備助力實現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)
在實現(xiàn)“碳達峰”和“碳中和”的“雙碳”目標(biāo)過程中，廣泛存在的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備是一個重要抓手。根據(jù)市場研究機構(gòu)IoT Analytics發(fā)布的報告顯示，2022年全球物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)達到143億；預(yù)計到2023年，這一數(shù)量將再增長16%，達到160億個。
2023-10-20
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使用單輸出柵極驅(qū)動器實現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動
在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開關(guān)類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動器 IC 可在單個 IC 中為 HS 開關(guān)管以及 LS 開關(guān)管提供輸出。
2023-10-20
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如何在SPICE中構(gòu)建鉑RTD傳感器模型
KWIK（技術(shù)訣竅與綜合知識）電路應(yīng)用筆記提供應(yīng)對特定設(shè)計挑戰(zhàn)的分步指南。對于給定的一組應(yīng)用電路要求，本文說明了如何利用通用公式應(yīng)對這些要求，并使它們輕松擴展到其他類似的應(yīng)用規(guī)格。該傳感器模型支持對電阻溫度檢測器(RTD)的電氣和物理特性進行SPICE仿真。SPICE模型使用了描述RTD（其將溫度轉(zhuǎn)化為電阻）物理行為特性的參數(shù)。它還提供了一個典型的激勵和信號調(diào)理電路，利用該電路可演示RTD模型的行為。
2023-10-18
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碳化硅將推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的提高而發(fā)展
雖然“續(xù)航焦慮”一直存在，但混合動力、純電動等各種形式的電動汽車 (EV) 正被越來越多的人所接受。汽車制造商繼續(xù)努力提高電動汽車的行駛里程并縮短充電時間，以克服這個影響采用率的重要障礙。電動汽車的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。由于高功率充電站數(shù)量有限，相當(dāng)一部分車主仍然需要依賴車載充電器 (OBC) 來為電動汽車充電。為了提高車載充電器的性能，汽車制造商正在探索采用碳化硅 (SiC) 等新技術(shù)。這篇技術(shù)文章將探討車載充電器的重要性，以及半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)進步如何推動車載充電器的性能提升到全新水平。
2023-10-18
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