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靜電放電保護(hù)
所周知，MOS結(jié)構(gòu)的IC、FET及高頻器件等產(chǎn)品對(duì)靜電非常敏感，容易受到靜電破壞。其MOS器件比雙極器件更易遭受到ESD破壞，并且隨著制造工藝尺寸的每一次縮短而更加脆弱。由于隨著IC制造工藝從500nm左右演變到90nm和更小尺寸，集成器件的擊穿電壓已大大降低。本文講述如何使用靜電放電保護(hù)器件
2010-05-10
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被動(dòng)元件的交貨周期將繼續(xù)延長(zhǎng)
2010年4月，被動(dòng)電子元件的交貨期繼續(xù)延長(zhǎng)，由于需求的增長(zhǎng)導(dǎo)致供應(yīng)鏈持續(xù)緊張。根據(jù)Paumanok Publications, Inc公司的調(diào)查，就電容、線性電阻和分立電感產(chǎn)品線中的重點(diǎn)14類(lèi)被動(dòng)元件來(lái)說(shuō)，通過(guò)分析2010年3月10日和4月25日的數(shù)據(jù)，我們注意到平均每45天供貨周期就延長(zhǎng)4%，但是特定產(chǎn)品線的情況更為嚴(yán)重，而其他的則沒(méi)有什么跡象。
2010-05-10
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新型LED電源無(wú)需電解電容，壽命超過(guò)4萬(wàn)小時(shí)
創(chuàng)意電子新近推出的TK5401就是這樣一款LED驅(qū)動(dòng)電源IC，它具有不需要DC電源特性中所必須的電解電容的特性，使得LED壽命高達(dá)4萬(wàn)小時(shí)以上。據(jù)介紹，TK5401封裝內(nèi)置了高電壓功率MOS管及控制電路，因去除電解電容實(shí)現(xiàn)了小型化、低成本，并且實(shí)現(xiàn)了LED燈的長(zhǎng)壽命和高效能。
2010-05-07
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D類(lèi)音頻功率放大器的熱耗散分析
D類(lèi)放大器的散熱片可以根據(jù)輸出功率的半峰值安全地設(shè)計(jì)尺寸。但是，設(shè)計(jì)師們?nèi)员仨毚_定準(zhǔn)確的散熱片的尺寸，成本和應(yīng)用。放大器的PCB設(shè)計(jì)也可以用于減小散熱量。采用大規(guī)模集成電路的銅墊以及連接IC的所有最寬的PC走線可以最大限度的降低功耗。本文詳細(xì)介紹D類(lèi)音頻功率放大器的熱耗散分析
2010-05-05
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CMIC：薄膜電池發(fā)展投資超晶硅電池7-8倍
“薄膜電池成本比晶硅電池成本低，但動(dòng)輒數(shù)億元投資卻是晶硅電池的7—8倍，再加上在生產(chǎn)過(guò)程中同步產(chǎn)生的技術(shù)成本、設(shè)備成本、運(yùn)輸成本，其整體成本相比晶硅電池并不具有明顯優(yōu)勢(shì)，甚至?xí)鎏澅尽！庇嘘P(guān)人士透露，目前薄膜電池的轉(zhuǎn)化效率平均在10%左右，相比晶硅電池的17%—20%，還有一定距離。
2010-05-05
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恩智浦半導(dǎo)體北京聲學(xué)工廠遷址擴(kuò)產(chǎn)
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）今天在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)(BDA)為其在此落成的聲學(xué)解決方案新工廠舉行了盛大的開(kāi)幕典禮。從而將恩智浦半導(dǎo)體先進(jìn)的矩形揚(yáng)聲器生產(chǎn)線從奧利地維也納轉(zhuǎn)移到中國(guó)來(lái)，以便進(jìn)一步的提高中國(guó)聲學(xué)解決方案工廠的生產(chǎn)能力。
2010-05-04
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LM3464 ：國(guó)半推出首款具有動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整功能的大功率LED 驅(qū)動(dòng)器
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司（National Semiconductor Corporation ）宣布推出業(yè)界首款具有動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整功能并擁有多條輸出通道的大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器。這款控制器的特點(diǎn)是可以驅(qū)動(dòng)多達(dá)4串LED ，每串LED 的驅(qū)動(dòng)電流大小一致，偏差極小，而且效率極高。這款型號(hào)為 LM3464 的控制器屬于美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體PowerWise? 高能效系列，可以最大化提高系統(tǒng)效率，精簡(jiǎn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而降低開(kāi)發(fā)成本，尤其適用于需要大量采用 LED 驅(qū)動(dòng)器的照明系統(tǒng)，例如工業(yè)照明系統(tǒng)、路燈及汽車(chē)照明系統(tǒng)。
2010-05-04
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iSuppli：太陽(yáng)能電池板跌價(jià) PV系統(tǒng)建量今年將增至136億瓦
iSuppli近日驟然上調(diào)今(2010)年內(nèi)，太陽(yáng)電光能(Photovoltaic，PV)系統(tǒng)的預(yù)期建置量，并表示先前太陽(yáng)能電池板價(jià)格暴跌，估計(jì)在德國(guó)的銷(xiāo)售量將因此向上激增。
2010-05-04
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2010年3月臺(tái)灣液晶面板銷(xiāo)售額環(huán)比增加25％
2010年3月友達(dá)光電（AU Optronics，AUO）的大屏幕液晶面板供貨量為環(huán)比增加22％的977萬(wàn)張，創(chuàng)下歷史新高。原因是面向品牌廠商的電視機(jī)面板需求出現(xiàn)增加，個(gè)人電腦用面板的采購(gòu)持續(xù)活躍。
2010-05-04
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IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)緊貼創(chuàng)新應(yīng)用，后起之“秀”6月驚艷登場(chǎng)
就在不久前舉行的香港電子展上，瑞芯微一口氣推出和展示了五十多款移動(dòng)互聯(lián)創(chuàng)新應(yīng)用方案，涵蓋iMID（5英寸屏幕以內(nèi)）、3G MID（內(nèi)置3G SIM卡）、平板電腦（中國(guó)芯iPad）、智能手機(jī)（Android+3G+720P）、電子閱讀器（俗稱電子書(shū)）、無(wú)線數(shù)碼相框等一系列革新性終端產(chǎn)品。盡管這是一家芯片廠商，但它的展位上幾乎看不到芯片的影子。
2010-04-30
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SO-8系列：恩智浦發(fā)布全系列LFPAK封裝功率產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝）全系列汽車(chē)功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對(duì)高密度汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。
2010-04-30
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HDI系列:Sensortechnics推出3V電池的高精度壓力傳感器
Sensortechnics推出3-V電池的高精度壓力傳感器，HDI系列壓力傳感器能夠測(cè)量的絕對(duì)、差分或規(guī)表壓力,測(cè)量范圍從10 mbar到高達(dá)5 bar，3Vdc工作電源，使其適用于電池供電的手提或手持設(shè)備中。該傳感器實(shí)現(xiàn)了精準(zhǔn)數(shù)字信號(hào)調(diào)理和在0°~85°C范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)總誤差帶(TEB)優(yōu)于±0.5% FSS的精度。
2010-04-29
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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