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2009年中國(guó)封測(cè)企業(yè)大排行
縱觀2009年的IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)，從市場(chǎng)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示目前中國(guó)封測(cè)市場(chǎng)還是以外資企業(yè)為主，不過(guò)由于市場(chǎng)和成本的因素，中國(guó)的封測(cè)企業(yè)發(fā)展前景依然廣大！
2010-07-21
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Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
2010-07-20
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電子元器件：每周數(shù)據(jù)追蹤
根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所報(bào)告，受全球產(chǎn)業(yè)景氣、中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)等多重因素拉動(dòng)，10年上半年國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)值同比增速估計(jì)高達(dá)35%；但市場(chǎng)需求已放緩，庫(kù)存亦有緩慢抬升趨勢(shì)，預(yù)估10年銷(xiāo)售收入1380億元，增速在25%~30%，創(chuàng)歷史新高。
2010-07-20
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供需現(xiàn)差異 部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長(zhǎng)至20周
iSuppli指出，整體市場(chǎng)的交貨期比一個(gè)月以前所預(yù)期的拉長(zhǎng)很多;例如功率 MOSFET 與小型訊號(hào)晶體管的交貨期在6月時(shí)約20周，雙極功率組件(bipolar Power devices)與整流器的交貨期則為18周;而在正常情況下，這些零組件的交貨期應(yīng)該是10~12周。
2010-07-19
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SEMI：2010年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)325億美元 中國(guó)大陸增長(zhǎng)138%
SEMI近日在SEMICON West展會(huì)上發(fā)布了SEMI Capital Equipment Forecast年中報(bào)告，根據(jù)該報(bào)告2010年半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額將達(dá)到325億美元。
2010-07-19
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鋰電池保護(hù)電路綜述
鋰離子電池的保護(hù)電路就是要確保這樣的過(guò)度充電及放電狀態(tài)時(shí)的安全性，并防止特性劣化。鋰離子電池的保護(hù)電路是由保護(hù)IC及兩顆功率MOSFET所構(gòu)成，其中保護(hù)IC監(jiān)視電池電壓，當(dāng)有過(guò)度充電及放電狀態(tài)時(shí)切換到以外掛的功率MOSFET來(lái)保護(hù)電池，保護(hù)IC的功能有過(guò)度充電保護(hù)、過(guò)度放電保護(hù)和過(guò)電流／短路保護(hù)。
2010-07-18
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意法半導(dǎo)體（ST）縮小電涌保護(hù)器件尺寸
保護(hù)IC的全球領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商意法半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的電涌保護(hù)芯片，通過(guò)將額定電涌能量吸收能力擴(kuò)展到最大工作溫度，新產(chǎn)品有助于降低電子設(shè)備電涌保護(hù)器件的尺寸和成本。而市場(chǎng)現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的保護(hù)性在工作溫度超過(guò)25°C時(shí)會(huì)大幅降低。
2010-07-16
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Mouser 備貨德州儀器MSP430? MCU Value Line和開(kāi)發(fā)套件
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名，近日宣布備貨最新的德州儀器（TI）MSP430? Value Line 系列——超低價(jià)格的16位微處理器（MCU）。
2010-07-15
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Mouser 宣布備貨霍尼韋爾Limitless? WGLA 系列全局限位開(kāi)關(guān)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名，近日宣布備貨霍尼韋爾傳感控制Limitless? WGLA 系列全局限位開(kāi)關(guān)。
2010-07-15
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基于ARM構(gòu)架的Energy Micro低功率解決方案
能源敏感應(yīng)用的配置不斷增加，它是指設(shè)備必須因?yàn)楦鞣N原因用一個(gè)單一電池長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作。通常包括的應(yīng)用有能源計(jì)量、傳感器網(wǎng)絡(luò)或環(huán)境監(jiān)測(cè)的其它形式，在這些應(yīng)用中設(shè)備的占空比很低，因此希望運(yùn)行多年而不會(huì)受到用戶(hù)干預(yù)。 許多這些設(shè)備將使用流行的CR2032紐扣電池;一種3V的鋰/二氧化錳原電池。與5.6kΩ負(fù)載的2V終點(diǎn)電壓一樣，這些紐扣電池的典型容量為230mAh，相當(dāng)于約0.5毫安的放電，這使它們的壽命長(zhǎng)達(dá)400小時(shí)。但是，這種紐扣電池設(shè)計(jì)具有約為0.25μA的自放電率，這意味著它的保質(zhì)期會(huì)長(zhǎng)達(dá)20年。 在這兩個(gè)極端之間的就是能源敏感的應(yīng)用;它在低電壓下運(yùn)行的設(shè)備中電流消耗最小, 還提供可靠、可持續(xù)的功能。因此，很明顯，任何希望用一個(gè)單紐扣電池就實(shí)現(xiàn)類(lèi)似主動(dòng)壽命的應(yīng)用都需要能夠?qū)⑵骄枨罅烤S持在約0.25μA。
2010-07-15
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全面解析今年一季全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
國(guó)際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)SICAS近期的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類(lèi)工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值硅片計(jì)?？偟陌雽?dǎo)體SC數(shù)據(jù)，包括雙極數(shù)據(jù)由5英寸轉(zhuǎn)換成8英寸利用轉(zhuǎn)換率0.391及分立器件由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸，利用轉(zhuǎn)換率0.563。
2010-07-15
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第五屆電磁兼容技術(shù)研討勝利閉幕，西部需求亮點(diǎn)凸顯
2010年9月14日，成都—電子元件技術(shù)網(wǎng)（unidiota.com）攜手中國(guó)電子展、China Outlook Consulting于9月8日在成都嬌子國(guó)際會(huì)議中心成功舉辦了第五屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)——電磁兼容專(zhuān)場(chǎng)。本次研討會(huì)聚集了多家國(guó)內(nèi)外知名元器件廠(chǎng)商、測(cè)試廠(chǎng)商和仿真軟件廠(chǎng)商參與演講，并邀請(qǐng)歐盟EMC認(rèn)證專(zhuān)家舉行了專(zhuān)場(chǎng)技術(shù)講座，會(huì)場(chǎng)觀眾爆滿(mǎn)，氣氛熱烈，參與演講的技術(shù)專(zhuān)家與280位專(zhuān)業(yè)聽(tīng)眾朋友分享了最新的電磁兼容技術(shù)趨勢(shì)與設(shè)計(jì)策略，并回答了熱心聽(tīng)眾的提問(wèn)。
2010-07-15
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線(xiàn)注入核心部件
- 瞄準(zhǔn)精準(zhǔn)醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)更自由
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