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力科公司信號(hào)完整性專家Eric博士免費(fèi)網(wǎng)絡(luò)在線研討會(huì)
—如何像讀書一樣來讀S參數(shù)：快速挖掘埋藏于S參數(shù)黑盒模型中的關(guān)鍵信息S參數(shù)已經(jīng)成為描述互連電氣特性的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。由于在一些電路仿真中，我們不需要知道S參數(shù)的一些內(nèi)在屬性，因此S參數(shù)被稱為黑盒模型。事實(shí)上，大部分工程師避免去S參數(shù)中的一些真實(shí)的數(shù)據(jù)信息的真實(shí)原因是由于他們常常會(huì)感覺到非?；煜?yàn)镾參數(shù)常常顯示在頻域中，包含了大量的隱藏信息。
2011-09-12
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市調(diào)機(jī)構(gòu)認(rèn)為2011下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)仍有些許樂觀跡象
由分析師BillJewell創(chuàng)立的顧問機(jī)構(gòu)SemiconductorIntelligence指出，2011下半年電子產(chǎn)業(yè)景氣有些許樂觀跡象，但該機(jī)構(gòu)仍將2011年晶片市場(chǎng)成長率預(yù)測(cè)值，由原先的9%下修為4%。
2011-09-09
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全球設(shè)備市場(chǎng)需求萎縮 科技廠縮手投資
面對(duì)2011年下半旺季不旺市況，盡管臺(tái)積電僅微幅下修年度資本支出5%，保持約74億美元水準(zhǔn)，聯(lián)電則維持先前產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃18億美元金額不變，然隨著越來越多國內(nèi)、外科技業(yè)者陸續(xù)向下調(diào)整2011、2012年資本支出預(yù)算，使得6日參加SEMICON Taiwan展的國內(nèi)、外設(shè)備廠，紛對(duì)于2012年景氣及營運(yùn)表達(dá)保守看法。
2011-09-09
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Xtrinsic系列：飛思卡爾推出高性能高可靠傳感器用于智能電子終端
近幾年來，消費(fèi)電子領(lǐng)域的發(fā)展日新月異。短短幾年時(shí)間，平板電腦、智能手機(jī)及其他智能終端產(chǎn)品演繹了從出現(xiàn)到漸趨普及的過程。消費(fèi)電子產(chǎn)品功能日趨豐富及智能化，諸如重力感應(yīng)、手勢(shì)識(shí)別等功能幾年前還可作為產(chǎn)品賣點(diǎn)大賺眼球，而今則幾乎成為智能終端產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)配置。而這些功能得以實(shí)現(xiàn)，MEMS傳感技術(shù)功不可沒
2011-09-02
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TE推出高性能新型軟電纜用于電動(dòng)車充電
TE Connectivity（TE）, 原Tyco Electronics, 推出專為電動(dòng)汽車充電而研發(fā)的兩款電纜。這兩款電纜產(chǎn)品是針對(duì)高機(jī)械性能及高溫度性能要求而設(shè)計(jì)的，這兩種版本包括：帶有PVC護(hù)套以供室內(nèi)使用的電動(dòng)汽車充電電纜以及帶有TPE護(hù)套的用于戶外和極端溫度條件的特軟低溫電纜。這兩種電纜的發(fā)布，意味著TE能夠在全球范圍內(nèi)針對(duì)不同的地理環(huán)境要求而提供相應(yīng)的電纜產(chǎn)品。
2011-09-02
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L3GD20：意法半導(dǎo)體發(fā)布采用MEMS技術(shù)的3軸陀螺儀新產(chǎn)品
意法合資公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）發(fā)布了采用MEMS技術(shù)的數(shù)字輸出3軸陀螺儀IC新產(chǎn)品“L3GD20”。為在1年半前發(fā)布的陀螺儀IC“L3G4200D”的改良版。
2011-09-01
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LD7271：通嘉新推出內(nèi)建MOS智能型閃光燈電容充電器適用數(shù)字相機(jī)
數(shù)字相機(jī)一般配備的閃光燈, 隨著數(shù)字相機(jī)精巧化, 也不可避免朝向更精簡的設(shè)計(jì), 在尺寸外觀上輜銖必較。通嘉新款閃光燈充電IC便是一款非常精巧而兼具多種功能的產(chǎn)品。 具有絕佳充電運(yùn)算能加速充電效率。0.6A~1.3A間具有八段峰值電流恒流可調(diào)節(jié),只需利用CHARGE 腳位, 依所需條件設(shè)定, 是非常理想的設(shè)計(jì)。
2011-08-31
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持續(xù)高漲的消費(fèi)電子市場(chǎng)給SMT廠商帶來商機(jī)
在全球范圍發(fā)生多重債務(wù)危機(jī)和經(jīng)濟(jì)動(dòng)蕩的大背景下，手機(jī)市場(chǎng)尤其是智能手機(jī)市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)態(tài)依然良好。據(jù)Strategy Analytics最新研究顯示，2011年第二季度全球手機(jī)出貨量比去年同期增長13%，達(dá)到3.61億臺(tái)；而2011年第二季度全球智能手機(jī)出貨量比去年同期增長76%，達(dá)到1.1億臺(tái)，創(chuàng)歷史新高。國內(nèi)調(diào)研公司數(shù)據(jù)顯示，2011年第二季度國內(nèi)智能手機(jī)銷售總量達(dá)1681萬部，環(huán)比增長7.5%
2011-08-31
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2013年全球半導(dǎo)體元件銷售額或超3000億美元
EelctroIQ發(fā)布了最新的半導(dǎo)體元件(IC)銷售額預(yù)測(cè)，而早在1990年代中期，半導(dǎo)體行業(yè)就流傳著類似的預(yù)測(cè)。該機(jī)構(gòu)最新預(yù)計(jì)，IC 銷售額在2013年將超過3000億美元。在1995年，IC市場(chǎng)銷售額首次超過1000億美元，到2005年達(dá)到2000億美元。IC銷售額從1000 億美元到2000億美元花費(fèi)了10年的時(shí)間，而從2000億美元到3000億美元將只需8年的時(shí)間?！?/p>
2011-08-30
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ASSP XOTM系列：Pericom推出特定應(yīng)用電壓控制的晶體振蕩器
全球領(lǐng)先的高速連接、時(shí)鐘和信號(hào)調(diào)節(jié)芯片及晶振解決方案供應(yīng)商百利通半導(dǎo)體公司（Pericom，納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：PSEM）日前宣布：擴(kuò)展其特定應(yīng)用晶體振蕩器（ASSP XOTM）系列，推出一條新的ASSP電壓控制晶體振蕩器（VCXO）產(chǎn)品線。這些解決方案以滿足日益增加的通信基礎(chǔ)設(shè)施、寬帶接入和以太網(wǎng)市場(chǎng)需要為目標(biāo)，為各主流頻點(diǎn)提供了可以即刻使用的方案。
2011-08-29
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同步整流以及電荷保持驅(qū)動(dòng)技術(shù)
目前,越來越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達(dá)到很高的效率,必須降低整流損耗。我們采用低導(dǎo)通電阻的MOSFET 進(jìn)行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。
2011-08-29
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單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡化驅(qū)動(dòng)電路
為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。
2011-08-29
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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