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Vishay公司新視頻閃亮登場
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，介紹企業(yè)技術能力、客戶服務和業(yè)界最寬產品組合之一的新視頻在公司網址http://www.vishay.com亮相。該視頻重點介紹了 Vishay的設計和制造資源、可靠運送高質量元件的能力、廣泛的應用支持，以及遍布全球的供應鏈...
2010-11-23
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WSLP3921\5931:Vishay推出Power Metal Strip?電阻
日前，Vishay Intertechnology，推出兩款新的采用3921和5931外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻 --- WSLP3921和WSLP5931，電阻具有5W～10W的高功率等級和低至0.0003Ω的極低阻值。
2010-11-22
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SiZ710DT：Vishay Siliconix推出低導通電阻MOSFET器件用于筆記本電腦
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出首款采用PowerPAIR? 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET?功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導通電阻減小43%，同時具有更高的最大電流并提高效率...
2010-11-19
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IHLP-6767DZ-11：Vishay推出采新型電感器用于DC-DC電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用6767外形尺寸的IHLP?小外形、高電流電感器。IHLP-6767DZ-11具有4.0mm的超薄厚度，還具有高效率和低至2.05mΩ的DCR，以及1.0μH～47.0μH的寬范圍標準感值...
2010-11-18
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Vishay官方網站發(fā)布5個光電子產品在線講座
日前，Vishay宣布為幫助客戶了解固態(tài)照明、光耦可控硅、光電二極管、高速光耦和環(huán)境光傳感器的應用及關鍵參數(shù)，Vishay在其網站上的視頻中心加入5個新的光電子產品在線講座...
2010-11-12
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SiHG47N60S：Vishay推出新款N溝道功率MOSFET適用于電機控制電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET。 SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
2010-11-08
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Vishay推出紅外接收器適用于與3D電視機配套使用的LCD快門眼鏡
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款針對與3D電視機配套使用的LCD快門眼鏡而專門開發(fā)的紅外接收器，擴充其光電子產品組合。表面貼裝的TSOP75D25和 TSOP35D25紅外接收器可以裝進主動式3D眼鏡里，接收來自電視機的紅外信號，確保眼鏡的LCD快門能夠恰當?shù)赝介_啟和關閉，從而產生3D效果。
2010-11-01
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VLMx51系列：Vishay推出小尺寸PLCC2 Plus封裝SMD LED用于照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的紅色、琥珀色、黃色和白色功率SMD LED。VLMx51系列具有高光通量和非常低的結至環(huán)境熱阻，可用于各種照明應用。
2010-10-29
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Vishay Siliconix推出兩款功率MOSFET用于植入式醫(yī)療應用
新MOSFET的應用將包括送藥系統(tǒng)、除顫器、起搏器、助聽器和其他植入式設備中的負載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為 2mmx2mm，SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節(jié)省小型醫(yī)療設備中的空間，同時其低至0.4Ω的超低導通電阻能夠降低傳導損耗，從而延長電池壽命。
2010-10-27
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WSLP0603：Vishay推出0603封裝的檢流電阻用于DC-DC轉換器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip?電阻 --- WSLP0603，該電阻是業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低，只有10m?～100m?，可在+170℃的高溫下工作。
2010-10-21
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Vishay Siliconix 推出新款N溝道功率MOSFET用于開放式電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。
2010-10-20
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Vishay擴充其薄膜SMD電阻芯片家族應用于宇航領域
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其通過E/H MIL-PRF-55342認證的薄膜表面貼裝電阻器芯片。這些芯片的外形尺寸為0505、1005、1505、0705、1206和1010，可為宇航級應用提供“T”級可靠性。更大尺寸的產品也即將通過認證。
2010-10-14
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