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DDR測(cè)試系列之四——漫話DDR3
DDR3將在未來(lái)的兩年內(nèi)加速占領(lǐng)更多的市場(chǎng)份額,Intel的Core i7處理器以及AMD的Phenom II處理器均內(nèi)置內(nèi)存控制器并且支持DDR3,同時(shí)Core i7處理器將不支持DDR2。
2009-12-28
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DDR測(cè)試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫(xiě)周期
測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫(xiě)的訪問(wèn)周期分離開(kāi)來(lái)。在DDR2中通過(guò)Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來(lái)讀和寫(xiě)的操作。如圖1所示,在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的,而在寫(xiě)操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫(xiě)操作。
2009-12-18
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DDR測(cè)試系列之一——力科DDR2測(cè)試解決方案
本文介紹了DDR2總線,DDR2相關(guān)測(cè)試以及力科的DDR2全方位測(cè)試解決方案。力科QPHY-DDR2從信號(hào)連接,DDR2總線全面測(cè)試到測(cè)試報(bào)告生成各方面進(jìn)行了完美的集成,為復(fù)雜的DDR2測(cè)試提供了最佳的測(cè)試環(huán)境,從而保證了DDR2測(cè)試的精確性與高效率。
2009-10-15
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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