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分析IGBT短路保護電路的設(shè)計
固態(tài)電源的基本任務(wù)是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設(shè)備而言，電源是其核心部件。負載除要求電源能供應(yīng)高質(zhì)量的輸出電壓外，還對供電系統(tǒng)的可靠性等提出更高的要求。
2020-02-24
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MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
從 MOSFET 技術(shù)和開關(guān)運行概述入手，詳細介紹接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)動電路的設(shè)計流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。該報告還包含了一個特殊部分，專門介紹在同步整流器應(yīng)用中 MOSFET 的柵極驅(qū)動應(yīng)用的重要性。
2020-01-17
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一文解讀碳化硅功率器件的特點
功率半導體器件作為功率變換系統(tǒng)的核心器件，目前應(yīng)用最多的仍舊是 IGBT，在很多時候還需要搭配合適的反向并聯(lián)二極管。
2020-01-08
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全面分析IGBT各種知識點
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件，其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)。
2019-12-03
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新型SiC功率模塊以之Si IGBT，在更小的封裝內(nèi)提供更高的功率密度
隨著包括發(fā)電、儲能和交通運輸在內(nèi)的眾多應(yīng)用轉(zhuǎn)向電力驅(qū)動，需要構(gòu)建更高性能的電力轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)，推進以電力驅(qū)動的系統(tǒng)的未來發(fā)展。為此，對于更緊湊、更高功率密度和可高溫工作電源模塊的需求變得越來越大。
2019-11-08
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詳解隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性
在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。
2019-09-29
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IGBT的開關(guān)頻率上限有多高？
首先，開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導通電流下，IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損耗，開通損耗是Eon，關(guān)斷損耗是Eoff，還有二極管反向恢復(fù)也有損耗Erec。
2019-09-23
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一文看懂IGBT相關(guān)知識
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件,其具有自關(guān)斷的特征。本文將為大家詳細介紹IGBT相關(guān)知識。
2019-08-12
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如何選擇一款合適的隔離式柵極驅(qū)動器？
在功率電子(例如驅(qū)動技術(shù))中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時間。
2019-06-26
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詳解變頻器IGBT模塊的靜態(tài)測量
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
2019-05-16
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識別MOS管和IGBT管的方法
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常?？墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。以下為大家介紹識別MOS管和IGBT管的方法。
2019-05-09
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開關(guān)電源該如何配置合適的電感？
開關(guān)電源（SMPS）是一種非常高效的電源變換器，其理論值更是接近100%，種類繁多。按拓撲結(jié)構(gòu)分，有Boost、Buck、Boost-Buck、Charge-pump等；按開關(guān)控制方式分，有PWM、PFM；按開關(guān)管類別分，有BJT、FET、IGBT等。本次討論以數(shù)據(jù)卡電源管理常用的PWM控制Buck、Boost型為主。 那接下來就讓我們一起學習下開關(guān)電源該如何配置合適的電感吧~
2019-03-14
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