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意法半導體披露 2027-2028 年財務模型及2030年目標實現(xiàn)路徑
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于前天在法國巴黎舉辦了資本市場日活動。在公司戰(zhàn)略保持不變的框架內(nèi)，意法半導體重申了200億+美元的營收目標和相關財務模型，預計將在 2030 年實現(xiàn)這一目標。意法半導體還制定了一個中期財務模型，預計2027-2028年營收約為180 億美元，營業(yè)利潤率在 22% 至 24% 之間。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測試應用助力功率器件研究及性能評估
隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰(zhàn)。同時，隨著SiC等寬禁帶半導體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準確評估這些先進功率器件的性能和壽命，成為了行業(yè)發(fā)展的關鍵。
2024-11-23
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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-23
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-19
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韌性與創(chuàng)新并存，2024 IIC創(chuàng)實技術再獲獎分享供應鏈挑戰(zhàn)下的自我成長
11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會展中心7號館圓滿落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設計峰會，IIC Shenzhen 2024再次為半導體產(chǎn)業(yè)搭建了一個專業(yè)的交流平臺，聚集國內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領袖、管理人員、設計精英及決策者，聚焦重大前沿新興技術及產(chǎn)品、市場應用以及供應鏈發(fā)展變遷和趨勢，以此助推產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新穩(wěn)健發(fā)展。
2024-11-19
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貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書探討電子設計中的電源效率與穩(wěn)健性
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 聯(lián)手推出一本新電子書，重點介紹優(yōu)化電源系統(tǒng)的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（面向未來的供電：兼顧效率與穩(wěn)健性的先進電源解決方案）這本電子書中，ADI和貿(mào)澤的主題專家對電源系統(tǒng)中的重要組件、架構和應用進行了深入分析。
2024-11-15
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兆易創(chuàng)新MCU新品重磅揭幕，以多元產(chǎn)品和方案深度解鎖工業(yè)應用場景
業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日在上海舉辦了以“勇躍?芯征程”為主題的新品發(fā)布會，來自工業(yè)和數(shù)字能源等領域的行業(yè)伙伴齊聚一堂，共襄盛舉。本發(fā)布會中，兆易創(chuàng)新展現(xiàn)了其在工業(yè)自動化、數(shù)字能源等領域的最新成果，不僅重磅揭幕了兩款MCU新品——EtherCAT?從站控制芯片和GD32G5系列Cortex?-M33內(nèi)核的高性能MCU，還同步推出一系列搭載全新MCU產(chǎn)品的電機控制和數(shù)字能源方案。與此同時，眾多合作伙伴也于發(fā)布會首次推出基于GD32 MCU的創(chuàng)新解決方案。這不僅彰顯了兆易創(chuàng)新在工業(yè)及數(shù)字能源領域的持續(xù)關注與堅定承諾，也體現(xiàn)出公司與行業(yè)伙伴之間緊密的合作關系和堅實的市場基礎。
2024-11-14
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功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-12
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采用能量收集技術為嵌入式系統(tǒng)設計永續(xù)供電
許多無法連接市電的嵌入式系統(tǒng)通常會采用電池供電，但當電池電量用完時，更換電池的維護成本相對較高，并造成相當多的困擾，若能通過能量收集技術來為系統(tǒng)永續(xù)供電，便可解決這個問題。本文將為您介紹如何利用能量收集技術來建立永久運行的嵌入式系統(tǒng)，以及由Silicon Labs（芯科科技）推出的相關解決方案。
2024-11-12
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認英諾賽科侵權
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡稱宜普公司）今日宣布美國國際貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會維持此前的初步裁定，確認英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術專利。該相關專利對人工智能、衛(wèi)星、快速充電器、仿人機器人、自動駕駛以及其他許多技術的發(fā)展均至關重要。美國國際貿(mào)易委員會決定禁止英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下簡稱英諾賽科）在未獲宜普公司授權的情況下將相關氮化鎵產(chǎn)品進口至美國。
2024-11-11
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高精度時間管理，賦能汽車電子新體驗
瑞士微晶Micro Crystal是全球領先的高精度石英晶體和實時時鐘模塊（RTC）制造商，其產(chǎn)品廣泛應用于汽車電子領域，憑借高穩(wěn)定性和低功耗特性，在各類汽車關鍵系統(tǒng)中為時間管理、同步控制及節(jié)能運行提供了可靠的支持。瑞士微晶Micro Crystal的產(chǎn)品以卓越的質(zhì)量和性能，滿足了現(xiàn)代汽車對精準計時和復雜系統(tǒng)同步的嚴格需求。
2024-11-11
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功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-11
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅(qū)動新一代PHEV平臺
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