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NTP641x和NTB641x：安森美發(fā)布12款100V N溝道MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充NTP641x和NTB641x系列N溝道功率MOSFET系列，新增12款100V器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測(cè)試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500mJ的領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。
2010-02-10
NTP641x NTB641x 100V N溝道MOSFET
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紐扣式太陽能電池表 真扣子+真表
這款小巧玲瓏的太陽能紐扣表會(huì)給您帶來極大的便利。它可以夾在您的夾克或皮包上，想知道時(shí)間的時(shí)候，只需觸摸一下它的表面，時(shí)間就會(huì)顯示出來。
2010-02-09
紐扣電池 表 太陽能
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臺(tái)灣鼓勵(lì)電動(dòng)汽車鋰電池技術(shù)發(fā)展
中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)事務(wù)部(MOEA)于近日表示，將加大支持發(fā)展電動(dòng)汽車市場用鋰離子電池技術(shù)，并致力于發(fā)展電動(dòng)汽車用高功率和高安全性鋰離子電池。
2010-02-09
臺(tái)灣 電動(dòng)汽車 鋰電池 鋰離子
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揚(yáng)聲器功率試驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文介紹了一種多通道揚(yáng)聲器功率試驗(yàn)系統(tǒng)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和基本原理，并從硬件和軟件兩個(gè)方面對(duì)系統(tǒng)作了說明。該系統(tǒng)將計(jì)算機(jī)、聲卡、功率試驗(yàn)儀和軟件四者結(jié)合起來，運(yùn)用虛擬儀器技術(shù)進(jìn)行多通道揚(yáng)聲器功率試驗(yàn)，以較低的成本實(shí)現(xiàn)了較強(qiáng)的功能，是對(duì)傳統(tǒng)功率試驗(yàn)方法的一種升級(jí)。
2010-02-08
揚(yáng)聲器 虛擬儀器 功率試驗(yàn) 多通道
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2013年太陽電池板市場薄膜技術(shù)份額將翻倍
據(jù)iSuppli公司，薄膜太陽能電池正在迅速攫取晶體技術(shù)已有的市場份額。預(yù)計(jì)到2013年，其光伏部分的瓦特?cái)?shù)會(huì)增加一倍多，且在全球太陽電池板市場上，薄膜的效率將從2008年的14%增加到31%。
2010-02-08
薄膜 太陽能電池 晶體
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電源中的負(fù)載管理與負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
電源給各個(gè)電路供電，各個(gè)電路就是電源的"負(fù)載"。例如發(fā)射電路及接收電路是電源的負(fù)載，功率放大電路也是電源的負(fù)載。另外，電源的負(fù)載還包括一些器件（如LED）或一些其他產(chǎn)品（如硬盤、直流電動(dòng)機(jī)等）。多功能的便攜式電子產(chǎn)品有很多功能電路組成，隨著工作電壓的不同，對(duì)電源的要求也不相同，因此...
2010-02-08
負(fù)載管理 TPS65021 電源管理IC
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低功耗電源的電感選擇
超低功率或者超高功率開關(guān)電源|穩(wěn)壓器的電感,并不象一般開關(guān)電源那樣容易選擇。目前常規(guī)的電感都是為一些主流設(shè)計(jì)所制造,并不能很好地滿足一些特殊設(shè)計(jì)。本文主要討論超低功率、超高效率Buck電路的電感選擇問題。
2010-02-05
低功耗電源 電感選擇 磁滯
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Vishay Siliconix 發(fā)布4款600V MOSFET SiHx22N60S
Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-02-04
Vishay 600V MOSFET SiHx22N60S
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電視半導(dǎo)體先抑后揚(yáng)2010將更為強(qiáng)勁
2009年全球電視顯示半導(dǎo)體營業(yè)收入估計(jì)可達(dá)87億美元，比2008年時(shí)的89億美元下降1.6%。相比之下，2009年全球整體半導(dǎo)體營業(yè)收入預(yù)計(jì)下降12.4%。如果按季度來看，電視半導(dǎo)體營業(yè)收入全年保持大幅增長之勢(shì)，第四季度升至25億美元，比第一季度時(shí)的17億美元大增45.8%。
2010-02-04
電視半導(dǎo)體 市場預(yù)測(cè)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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