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充電芯片BQ25601應(yīng)用中的若干問題
BQ25601是一款常用的充電芯片。本文針對(duì)其錯(cuò)誤上報(bào)的機(jī)制進(jìn)行了說明。同時(shí)，本文針對(duì)該芯片實(shí)際應(yīng)用在可穿戴產(chǎn)品中碰到過的弱充問題進(jìn)行了問題分析和說明，并從系統(tǒng)層面給出了階梯式抬升充電電流的解決方案。
2021-08-09
充電芯片 BQ25601 應(yīng)用
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如何設(shè)計(jì)模塊化 DC/DC 系統(tǒng)，第 1 部分：設(shè)計(jì)的 4 個(gè)階段
在設(shè)計(jì)模塊化 DC-DC 系統(tǒng)時(shí)，必須要考慮從電源到負(fù)載的整個(gè)供電系統(tǒng)，才能實(shí)現(xiàn)所需的功能和性能。本系列教程不僅將介紹模塊化 DC-DC 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)流程，通過這些流程，來(lái)完成電源到負(fù)載的設(shè)計(jì)案例。
2021-08-09
設(shè)計(jì) 模塊化 DC/DC
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助你輕松并聯(lián)增加輸出功率，這款μModule穩(wěn)壓器你愛了沒？
LTM8055 是一款具 5V 至 36V 輸入范圍的降壓-升壓型 μModule?穩(wěn)壓器，其可容易地通過并聯(lián)以擴(kuò)展負(fù)載電流能力。該器件的四開關(guān)降壓-升壓型拓?fù)渚哂懈咝?，同時(shí)允許輸入電壓低于、等于或高于輸出，并可在調(diào)節(jié)模式之間實(shí)現(xiàn)平滑轉(zhuǎn)換。
2021-08-08
并聯(lián) 輸出功率 μModule穩(wěn)壓器
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有沒有一種簡(jiǎn)單的辦法來(lái)創(chuàng)建適合傳感器偏置應(yīng)用的高壓電源？
提供高精度輸出的可調(diào)高壓電源很難構(gòu)建。時(shí)間、溫度和生產(chǎn)過程中的差異等帶來(lái)的漂移通常都會(huì)導(dǎo)致誤差。傳統(tǒng)上用于反饋的阻性網(wǎng)絡(luò)是常見誤差源。本文提出一種利用集成電路(IC)反饋路徑的新穎設(shè)計(jì)。此電路用于傳感器偏置應(yīng)用，與利用電阻網(wǎng)絡(luò)提供反饋的設(shè)計(jì)相比，精度更高，漂移更低，更加靈活，甚至...
2021-08-07
傳感器 偏置應(yīng)用 高壓電源
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安森美：新品牌和可持續(xù)未來(lái)的承諾
2021年8月6日—安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON) 在美國(guó)時(shí)間8月5日公布公司的新商號(hào)“onsemi ”和煥然一新的品牌，作為公司發(fā)展的下一步，以確立自身成為智能電源和感知技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。安森美 (onsemi) 持續(xù)專注于汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)，已加強(qiáng)其創(chuàng)新的戰(zhàn)略推動(dòng)顛覆性創(chuàng)新，為...
2021-08-06
安森美 感知技術(shù) 智能電源
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變頻器軟啟動(dòng)器控制使用以及電機(jī)各種啟動(dòng)方式
電機(jī)軟啟動(dòng)器一般以大功率雙向晶閘管構(gòu)成三相交流調(diào)壓電路，以微處理器及信號(hào)采集、保護(hù)環(huán)節(jié)構(gòu)成控制器，通過控制晶閘管的觸發(fā)角，調(diào)節(jié)晶閘管調(diào)壓電路的輸出電壓，實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)的無(wú)觸點(diǎn)降壓軟啟動(dòng)、軟停車和空載、輕載的節(jié)能及保護(hù)功能。為此，通過對(duì)軟啟動(dòng)方式與傳統(tǒng)的啟動(dòng)方式進(jìn)行比較，來(lái)分析軟啟...
2021-08-06
變頻器 軟啟動(dòng)器 啟動(dòng)方式
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驅(qū)動(dòng)未來(lái)，如何對(duì)電機(jī)運(yùn)行異常做分析與定位？
電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的動(dòng)力心臟，小到風(fēng)扇、空調(diào)，大到船舶、飛機(jī)都離不開電機(jī)，如此重要的部件出現(xiàn)了異常該如何定位與分析呢？本文將帶您深入了解。
2021-08-06
電機(jī)運(yùn)行 異常分析 定位
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快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度
眾所周知，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導(dǎo)體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等。前一個(gè)十年，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)在基站射頻、功放等通信領(lǐng)域嶄露頭角；2021年，隨著“十四五”規(guī)劃的提出，中國(guó)將加...
2021-08-06
快充 第三代半導(dǎo)體 新能源
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三相全波無(wú)刷電機(jī)的旋轉(zhuǎn)原理
繼上一篇文章的三相全波無(wú)刷電機(jī)外觀和三相全波無(wú)刷電機(jī)結(jié)構(gòu)之后，本文將介紹三相全波無(wú)刷電機(jī)的旋轉(zhuǎn)原理。下面將按照步驟①～⑥來(lái)說明無(wú)刷電機(jī)的旋轉(zhuǎn)原理。為了易于理解，這里將永磁體從圓形簡(jiǎn)化成了矩形。
2021-08-05
三相全波無(wú)刷電機(jī) 旋轉(zhuǎn)原理
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