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集成運(yùn)放的使用
目前集成運(yùn)放的常見(jiàn)封裝方式有金屬殼封裝和雙列直插式封裝，外形如圖3.7.1 所示，以后者居多。雙列直插式有8、10、12、14、16 管腳等種類，雖然它們的外引線排列日趨標(biāo)準(zhǔn)化，但各制造廠仍略有區(qū)別。因此，使用運(yùn)放前必須查閱有關(guān)手冊(cè)，辨認(rèn)管腳，以便正確連線。
2024-03-25
集成運(yùn)放
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5G智能網(wǎng)關(guān)助力工業(yè)鑄造設(shè)備監(jiān)測(cè)升級(jí)
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的迅猛發(fā)展和工業(yè)4.0浪潮的推進(jìn)，傳統(tǒng)工業(yè)正面臨著嚴(yán)峻的轉(zhuǎn)型升級(jí)壓力。在這一背景下，鑄造行業(yè)——這一典型的傳統(tǒng)重工業(yè)領(lǐng)域，也必須積極探索借助5G、物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算等技術(shù)提升生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)效率的新路徑。
2024-03-25
5G智能網(wǎng)關(guān) 工業(yè)鑄造設(shè)備 監(jiān)測(cè)
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如何通過(guò)SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)？
電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
SiC 電池儲(chǔ)能系統(tǒng)
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高效精準(zhǔn)表征低噪聲放大器
很多應(yīng)用場(chǎng)景都會(huì)用到低噪聲放大器(LNA)，包括無(wú)線通信、傳感器網(wǎng)絡(luò)、導(dǎo)航衛(wèi)星和射電望遠(yuǎn)鏡等。LNA在放大低功率信號(hào)的同時(shí)，也會(huì)影響系統(tǒng)信噪比 (SNR)。除了增益和線性度等常見(jiàn)放大器考慮因素之外，LNA 還必須具有低噪聲系數(shù)性能，以保持信號(hào)質(zhì)量和系統(tǒng)靈敏度。
2024-03-22
低噪聲放大器
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低壓MOS在無(wú)人機(jī)上的應(yīng)用
無(wú)人機(jī)動(dòng)力系統(tǒng)中的電機(jī)，俗稱“馬達(dá)”，是無(wú)人機(jī)的動(dòng)力來(lái)源，無(wú)人機(jī)通過(guò)改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速來(lái)改變無(wú)人機(jī)的飛行狀態(tài)。即改變每個(gè)電機(jī)的速度，使得無(wú)人機(jī)能夠盤(pán)旋空中，上升或下降，或向各個(gè)方向移動(dòng)。
2024-03-22
低壓MOS 無(wú)人機(jī)應(yīng)用
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四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用
隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對(duì)電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動(dòng)這一發(fā)展，太陽(yáng)能等可再生能源被越來(lái)越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及人工智能 (AI)，服務(wù)器的需求也在呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。鑒于這些趨勢(shì)，設(shè)計(jì)人員面臨著一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)：如何在持續(xù)提升設(shè)計(jì)效率的同...
2024-03-21
氮化鎵 電子設(shè)計(jì) 中壓應(yīng)用
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【做信號(hào)鏈，你需要了解的高速信號(hào)知識(shí)（二）】高速的挑戰(zhàn) – 抖動(dòng)和眼圖
做高速的工程師最頭疼的問(wèn)題就是抖動(dòng)和眼圖測(cè)量Fail。抖動(dòng)和眼圖測(cè)量就像是一個(gè)照妖鏡，任何一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)，都可能會(huì)導(dǎo)致抖動(dòng)和眼圖結(jié)果的惡化，而要解決抖動(dòng)和眼圖問(wèn)題，工程師往往無(wú)從下手。
2024-03-20
信號(hào)鏈 高速信號(hào) 抖動(dòng) 眼圖
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如何最大程度降低開(kāi)關(guān)電源中的寄生參數(shù)
開(kāi)關(guān)模式電源（開(kāi)關(guān)電源）因其高效性和靈活性而廣受歡迎。但它們也帶來(lái)了挑戰(zhàn)，因?yàn)槠鋺?yīng)用已經(jīng)延伸到新的領(lǐng)域。最明顯的是，其高頻切換會(huì)對(duì)系統(tǒng)的其他部分產(chǎn)生電磁干擾 (EMI)。此外，導(dǎo)致 EMI 的因素同樣也會(huì)降低效率，從而削弱開(kāi)關(guān)電源關(guān)鍵的能效優(yōu)勢(shì)。
2024-03-20
開(kāi)關(guān)電源 寄生參數(shù)
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雙脈沖測(cè)試（DPT）的方法解析
雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
雙脈沖測(cè)試
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